超 据 有+2 外加电压 外加电压 测量峰高的方法
测量峰高的方法
2.毛细管特性 (m23t16,毛细管常数) idm2/3t1/6 影响m,t的因素均会引起扩散电流的变化，如汞 柱高度和滴汞电极电位等。 汞柱高度的影响：由于汞流速与汞柱压力p成正 比，m=kp,而滴落时间则与汞柱压力p成反 比t=k2p m23t1/6=(k216k,23)p12i.cm23t16 .ip112oh1/2 实验结果表明，汞柱高度提高1cm,扩散电流 增加2%
2．毛细管特性 （m2/3t 1/6，毛细管常数） id∝m2/3t 1/6 影响m,t的因素均会引起扩散电流的变化，如汞 柱高度和滴汞电极电位等。 汞柱高度的影响：由于汞流速与汞柱压力p成正 比，m = kp，而滴落时间则与汞柱压力 p成反 比 t = k2 /p m2/3t 1/6 =（k2 1/6k1 2/3）/p1/2 id∝m2/3t 1/6 ∴id∝p1/2∝h1/2 实验结果表明，汞柱高度提高1 cm，扩散电流 增加 2%
温度的影响 扩散电流方程式i.=607nD12m23t16c中， 除反应电子转移数n以外，其余各项都是 温度的函数，室温下，扩散电流的温度 系数约为1.3%°℃，实验中要求控温在正 负0.5以内
温度的影响 扩散电流方程式 id=607 nD1/2m2/3t 1/6c中， 除反应电子转移数n以外，其余各项都是 温度的函数，室温下，扩散电流的温度 系数约为1.3%/℃,实验中要求控温在正 负0.5以内
三、极谱分析中的干扰电流 (一)残余电流：电解电流和充电电流 在外加电压未到达被测物质的分解电压，仍 有微小的电流通过电解池，一般为101uA 电解电流，易于在DME上还原的微量杂质 如02，Cu2+,Fe3+等，量值很小，通常可通 过除0，纯化试剂等手段减小
三、极谱分析中的干扰电流 （一）残余电流：电解电流和充电电流 在外加电压未到达被测物质的分解电压，仍 有微小的电流通过电解池，一般为10-1A 1．电解电流，易于在DME上还原的微量杂质 如O2，Cu2+, Fe3+等，量值很小，通常可通 过除O2，纯化试剂等手段减小
2.充电电流，引起残余电流的主要原因。 在KC溶液中，经研究表明滴汞的表面电荷，表 面引力与施加电压有如下关系。 当E<-0.56V时汞滴表面带正电荷， E=-0.56V, 滴汞不带电荷，而E>-0.56V时， 滴汞表面带负 电荷。 (1)当P、A相触，DME与SCE短路， DME与 SCE具有相同的正电位，滴汞表面带正电荷 (结合表面电荷与电压关系图说明)
2．充电电流，引起残余电流的主要原因。 在KCl溶液中，经研究表明滴汞的表面电荷，表 面引力与施加电压有如下关系。 当E<-0.56V时汞滴表面带正电荷，E=-0.56V， 滴汞不带电荷，而E>-0.56V时，滴汞表面带负 电荷。 （1）当P、A相触，DME与SCE短路，DME与 SCE具有相同的正电位，滴汞表面带正电荷 （结合表面电荷与电压关系图说明）