利用PTAT电流产生基准电压 Ms,M6,Mg构成电流镜 又AVr=VJn 2 3 L=L2=VIInn)/R l3=M·(rnn)/R1 RI
利用PTAT电流产生基准电压 + − VDD M5 M6 M M8 3 2 I I A1 1IX Y R1 n Q1 Q2 M5，M6，M8构成电流镜 又ΔVBE=VTlnn I1=I2=(VT·lnn)/R1 I3=M·(VT·lnn)/R1
带隙电压基准电路 输出基准电压 R2 REF BE, Q+M nn R T=300K时的零温度系数条件 REF R R2172 M R1 nn
带隙电压基准电路 + − VDD M5 M6 M M8 3 2 I I A1 1IX Y R1 n Q1 Q2 Q3 R2 VREF 3 2 , 1 ln REF BE Q T R V V M V n R = + 输出基准电压 T=300K时的零温度系数条件 2 1 17.2 ln R M R n
电路实现 DD REF M R R2 Q1
电路实现 M5 Q1 R1 M3 M4 M0 M1 M2 M6 M7 M8 R2 VREF Q2 Q3 M9 VDD
内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训
内容 • 带隙电压基准的基本原理 • 常用带隙电压基准结构 – PTAT带隙电压基准 – 运放输出电压基准 • 基准电路的发展方向 • PTAT带隙电压基准的设计 • 优化温度特性 • 实训
运放输出端产生基准电压 REF Xy C O1C, 02 R12 R R 输出基准电压 Y (R2+R3 REF REF BE, Q2 VIInn R 3 零温度系数条件 n R2+R,nn 17.2 r
运放输出端产生基准电压 +− VREF R1 R2 VDD A1 +− R3 Q1 Q2 X Y n 1,2 , , 1 , 2 R V V I I REF X Y C Q C Q − = = ( ) VREF V lnn R R R V T 3 2 3 BE Q2 • + = ， + 输出基准电压 零温度系数条件 R n R R ln 17.2 3 2 3 +