+2.3.2二极管的伏安特性 (1)二极管元件的伏安特性曲线逐点测量 R 十 D (2)二极管元件的伏安特性公式表示 HOME BACK NEXT
(1) 二极管元件的伏安特性曲线逐点测量 ( 1) / D S D = − v VT i I e + i D vD - R 2.3.2 二极管的伏安特性 (2) 二极管元件的伏安特性公式表示
2.3.2二极管的伏安特性 in/mA 反向特性 反向特性 正向特性 inmA 15 ① 20 反向击穿 10 特性 10 60-40-20 正向特性 02040.6 Bl -10 30-20-100020.40.60.8 20/死 40 A iNHA 反向击穿 特性 锗二极管2AP15的FI特性 硅二极管2CP10的VⅠ特性 与PN结的伏安特性类似而不完全相同 °硅管的正向压降0.5-0.7伏,锗管的正向压降0.2-0.3 伏 硅管的反向电流极小,锗管的反向电流较大 HOME BACK NEXT
0 0.2 0.4 0.6 D/V −60 −40 −20 5 10 15 20 −10 −20 −30 −40 iD/A iD/mA ② ① ③ Vth VBR 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿 特性 2.3.2 二极管的伏安特性 −30 −20 −10 0 0.2 0.4 0.6 0.8 D/V −40 5 10 15 20 −10 −20 −30 −40 iD/A iD/mA 死区 V Vth BR 硅二极管2CP10的V-I 特性 反向击穿 特性 反向特性 正向特性 • 与PN结的伏安特性类似而不完全相同 • 硅管的正向压降0.5-0.7伏，锗管的正向压降0.2-0.3 伏 • 硅管的反向电流极小，锗管的反向电流较大