广李工業业大学第12章电场中的导体电介质大学物理A教素suanadongUniversityofTechnolog(2)导体表面邻近处场强的大小与该处导体表面电荷面密度成正比。证明:紧贴导体表面作底面积为△S的圆柱形高斯面如图fE.dS=-qiC导体·OASE:AS=CE丙=0E=9福En=表8%6
第12章 电场中的导体 电介质 大学物理A教案 (2) 导体表面邻近处场强的大小与该处导体表面电荷 面密度成正比。 E S = S 0 1 0 E = E n 0 表 = 证明: 紧贴导体表面作底面 积为 的圆柱形高 斯面如图 S E内 = 0 导体 + + + + + + + + + + + + E s i S E S = q 0 1 d
广东工业大学第12章电场中的导体电介质大学物理A教素uanadongUniversityofTechnology静电平衡时,孤立导体表面某处的电荷面密度(3)、青a与该处表面曲率有关,曲率越大(曲率半径越小)的地方电荷面密度越大。R+RR-XR
第12章 电场中的导体 电介质 大学物理A教案 (3)、静电平衡时,孤立导体表面某处的电荷面密度 与该处表面曲率有关,曲率越大(曲率半径越小) 的地方电荷面密度越大。 + + + + ++ +++ + + + + + + + + + + + + + + + + + R R R R