4.1.3P沟道M0SFET ip/mA ip/mA -20-15-10 -5 0 -6 -4 -2 0 L-2V UDS/V UGS/V 饱 L-3V .-2 和-4V -4 区 -5V L-6V 何变 -6 UDS =UGS-VTP ,电阻 区 电流均以流入漏极的方向为正！ #是增强型还是耗尽型特性曲线？ #耗尽型特性曲线是怎样的？vGs加什么极性的电压能使管子 工作在饱和区（线性放大区）？
4.1.3 P沟道MOSFET # 是增强型还是耗尽型特性曲线？ # 耗尽型特性曲线是怎样的？vGS加什么极性的电压能使管子 工作在饱和区（线性放大区）？ 电流均以流入漏极的方向为正！
4.1.4沟道长度调制等几种效应 1.沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的（沟道为例） 修正后in=K.(oes-P1+初s)=lo(%-11+s) L的单位为umV称为厄雷（Early).电压 7V ip/mA 斜率1 6V Ias 5V 4V UGs=3V -Va=-1/2 0 UDs/V 当不考虑沟道调制效应时，兄=0，曲线是平坦的
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的（N沟道为例） ( ) (1 ) DS 2 iD Kn vGS VTN v ( 1) (1 ) DS 2 TN GS DO v v V I 1 L的单位为m 0 1 V L . 当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。 修正后 VA称为厄雷（Early）电压 1. 沟道长度调制效应
4.1.4沟道长度调制等几种效应 2.衬底调制效应（体效应） 衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压Vs将影响实际的开 启（夹断）电压和转移特性。 ip/mA N沟道增强型 VDD UBS=-5V VGG 6 UBS =-8V 4 + 耗尽层 2 B衬底引线 VTNO 6 vGs/V 对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响 VNO表示VBS=0时的开启电压
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压vBS将影响实际的开 启（夹断）电压和转移特性。 VTNO表示vBS = 0时的开启电压 2. 衬底调制效应（体效应） N沟道增强型 对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响
4.1.4沟道长度调制等几种效应 2.衬底调制效应（体效应） VDD 为保证导电沟道与衬底之 VGG 间的PN结反偏，要求： N沟道：VBs≤0 UBS N P沟道：Vs≥0 耗尽层 B衬底引线 通常，N沟道器件的衬底接电路的最低电位，P沟道器件的 衬底接电路的最高电位
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 2. 衬底调制效应（体效应） 通常，N沟道器件的衬底接电路的最低电位，P沟道器件的 衬底接电路的最高电位。 为保证导电沟道与衬底之 间的PN结反偏，要求： N沟道: vBS 0 P沟道: vBS 0
4.1.4沟道长度调制等几种效应 3.温度效应 V和电导常数K随温度升高而下降，且K受温度的 影响大于V受温度的影响。 可变电阻区in=K.[2(os-VN)vDs-os】 饱和区 iD=Kn(UGS -VTN)2 当温度升高时，对于给定的VGs,总的效果是漏极电 流减小
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 3. 温度效应 VTN和电导常数Kn随温度升高而下降，且Kn受温度的 影响大于VTN受温度的影响。 当温度升高时，对于给定的VGS，总的效果是漏极电 流减小。 [2( ) ] 2 D n GS TN DS DS 可变电阻区 i K v V v v 2 D n GS TN 饱和区 i K (v V )