4.1.4沟道长度调制等几种效应 4.击穿效应 VDD H VGG (1)漏衬击穿 d 外加的漏源电压过高，将 导致漏极到衬底的PN结击穿。 耗尽层 (2)栅极击穿 若绝缘层厚度tx=50纳米 B衬底引线 时，只要约30V的栅极电压就 通常在MOS管的栅源间接 可将绝缘层击穿，若取安全系 入双向稳压管，限制栅极电压 数为3，则最大栅极安全电压 以保护器件。 只有10V
4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4. 击穿效应 （1）漏衬击穿 外加的漏源电压过高，将 导致漏极到衬底的PN结击穿。 若绝缘层厚度tox = 50 纳米 时，只要约30V的栅极电压就 可将绝缘层击穿，若取安全系 数为3，则最大栅极安全电压 只有10V。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD （2）栅极击穿 通常在MOS管的栅源间接 入双向稳压管，限制栅极电压 以保护器件
4.1.5M0SFET的主要参数 一、直流参数 1.开启电压V (增强型参数) A 2.夹断电压V, (耗尽型参数) 三D VcG
4.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数）
4.1.5M0SFET的主要参数 一、直流参数 3.饱和漏电流Ipss（耗尽型参数) mA Ipss 4.直流输入电阻Rcs(102~10152)
4.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （10 9Ω～10 15Ω ）
4.1.5M0SFET的主要参数 二、交流参数 1.输出电阻rs OUps dip Vos 对于增强型NMOS管io=K.(ocs-'N)2(1+ns) 1 有 ip K.(cs-'N)元 所以 a=[K.(oes-nPT's话 Lip ip 当不考虑沟道调制效应时，2=0，rs→∞ 实际中，rs一般在几十千欧到几百千欧之间
4.1.5 MOSFET的主要参数 所以 1. 输出电阻rds D GS DS ds i V r v D A D 2 1 ds n GS TN 1 [ ( ) ] i V λi r λK V v 当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds →∞ 实际中，rds一般在几十千欧到几百千欧之间。 二、交流参数 ( ) (1 ) DS 2 对于增强型NMOS管 iD Kn vGS VTN v 1 ( ) 2 n GS TN D DS K V i v 有 v
4.1.5M0SFET的主要参数 二、交流参数 2.低频互导gm gm= ip vGS VDs NMOS增强型in=Kn(ocs-VN) 则gm= ip olK(Gs-VIN)'] =2K(UGS-VIN) UGs VDs 00Gs 又因为。=K,(s-V2oe-)=R 所以gm=2Kn(cs-VN)=2VKb 其中K=Cx.W 2 L
4.1.5 MOSFET的主要参数 GS DS D m V i g v 2. 低频互导gm 二、交流参数 2 D n GS TN i K (v V ) 则 DS GS DS 2 n GS TN GS D m [ ( ) ] V V i K V g v v v 2 ( ) Kn GS VTN v n D 2 K i L W K 2 nCox 其中 n 又因为 2 D n GS TN i K (v V ) n D GS TN ( ) K i v V 所以 2 ( ) m Kn GS VTN g v NMOS增强型