3.I-V特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 预夹断临界点轨迹 3 饱和区 ip/mA UDS=UGS-VIN(UGD=UGS-UDS=VIN) (恒流区又称放大区) 可变电阻区 3V 2 (非饱和区) cs>N,且vs≥(Vcs-MN） 饱和区 1.5 I-V特性： 2.5V iD =Kn(UGs -VIN)2 2V 0.5 UGS=1.5V 截止区 UGS -1) 2.5 5 7.5 10 UDS/V 必须让FET工作在饱和区 Ipo=KV品是ts=2x时的， (放大区)才有放大作用
③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS >VTN ，且vDS≥（vGS－VTN） 2 D n GS TN i K (v V ) 2 TN 2 GS n TN ( 1) V K V v 2 TN GS DO ( 1) V I v 2 DO KnVTN I 是vGS ＝2VTN时的iD I-V 特性： （1）输出特性及大信号特性方程 必须让FET工作在饱和区 （放大区）才有放大作用。 3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
3.I-V特性曲线及大信号特性方程 (2)转移特性 预夹断临界点轨迹 ip/mA s=vGs一VT(或GD=vGs-Ds=VTN) ip =f(UGs)vos-const. 可变电阻区A 3V 21 (非饱和区) i,=lng-州 饱和区 1.5 B 2.5V ip/mA 2V 2 0.5 D UGS=1.5V 截止区 1.5h B 2.5 5 7.5 10 UDS/V UDC=5V 在饱和区，in受vcs控制 0.5 #为什么不谈输入特性？ V D 0 0.511.522.53 UGS/V
（2）转移特性 D GS D const. S ( ) v v i f 2 TN GS D DO ( 1) V i I v # 为什么不谈输入特性？ A B C D 在饱和区，iD受vGS控制 3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
4.1.2N沟道耗尽型MOSFET 1.结构和工作原理 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 掺杂后具有正d 离子的绝缘层 二氧化硅 d c ++++++++4 衬底 N N 0 B 耗尽层 N型沟道 P 6B衬底引线
4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理 ＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋ s g d 二氧化硅 掺杂后具有正 离子的绝缘层 N ＋ N ＋ 耗尽层 N 型沟道 P B 衬底引线 d g s B 衬底 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
4.1.2N沟道耗尽型MOSFET 2.I-V特性曲线及大信号特性方程 2(N沟道增强型) PN TN ip/m A UDS=UGS-VPN ip/mA 可变 电阻区 饱和区一 4V 8 8(俳饱和升 2V 6 UGS=0V IDss4 DSS -2V -4V 2 截止区 PN 9 12 15 UDS/V 一6 一4 一2 0 2 UGS/V
4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2 PN GS D DSS (1 ) V i I v 2 TN GS D DO ( 1) V i I v （N沟道增强型） IDSS 2. I-V 特性曲线及大信号特性方程
4.1.3P沟道MOSFET B #衬底是什么类型的半导体材料？ #哪个符号是增强型的？ #在增强型的P沟道MOSFET中，vGs应加什么极性的电压才 能工作在饱和区（线性放大区)？
4.1.3 P沟道MOSFET d g s B d g s B # 衬底是什么类型的半导体材料？ # 哪个符号是增强型的？ # 在增强型的P沟道MOSFET 中，vGS应加什么极性的电压才 能工作在饱和区（线性放大区）？