H核周围相邻的原子或原子团的吸电子能力越弱，核周围 的电子云密度越大，核受到的屏蔽作用越大，核实际受到的 外加磁场降低的越多，如果要维持原子核共振需要频率，则 外加磁场强度必须增加的越多，共振峰出现在较高磁场；反 之相邻的原子或原子团的吸电子能力越强，电子屏蔽效应越 小，核实受磁场强度山、越大，共振峰出现在较低磁场。 化学位移：因核所处化学环境改变而引起共振条件（核的共振频 率或磁场强度)变化的现象，称为化学位移
1H核周围相邻的原子或原子团的吸电子能力越弱，核周围 的电子云密度越大，核受到的屏蔽作用越大，核实际受到的 外加磁场降低的越多，如果要维持原子核共振需要频率，则 外加磁场强度必须增加的越多，共振峰出现在较高磁场；反 之相邻的原子或原子团的吸电子能力越强，电子屏蔽效应越 小，核实受磁场强度HN越大， 共振峰出现在较低磁场。 化学位移：因核所处化学环境改变而引起共振条件（核的共振频 率或磁场强度）变化的现象，称为化学位移
7.3.2化学位移的表示方法 (（1)用频率表示化学位移 △V=V样一V标 V样、V标为样品中氢核与标准物中氢核的共振频率 根据共振方程式v=YH,(①-o) 2n 同一种质子，H不同，则v不同： 如CH,CCl,CHCI 60MHZ △Vh3=V样一V标=134H。 △yc2=240H2 100MHZ △V3=V样一V标=223H △y2=400Hz
7.3.2 化学位移的表示方法 （1）用频率表示化学位移 =样－标 v样、v标为样品中氢核与标准物中氢核的共振频率 (1 ) 2 0 v H 同一种质子，H0不同，则v不同： 如 CH3CCl2CH2Cl C h Z ch Z v H v v v H 240 134 2 3 样－ 标＝ 60MHZ 100MHZ 根据共振方程式 C h Z ch Z v H v v v H 400 223 2 3 样－ 标＝
134 (a) k240 CH, TMS 800700600500,400300200100 △aHz (6) 人400223 CH. TMS 8007006005004003002001000 △Hz 图：(a)在60MHz和(b)I00MHz仪器测定的 1,2,2三氯丙烷的HNMR谱
图：(a)在60MHZ和(b)100MHZ仪器测定的 1,2,2三氯丙烷的1H NMR谱
(2)用位移常数8表示化学位移 )=样-V标x10= V样一V标 V标 振荡器频率 10°-H#二Hs×10 H标 60MHZ 134H2×10=2.23ppm 60×10 240 60x10×10=4.0pm δms、 223 100MHz 8cm: 100×10×10=-2.23ppm 400 100×106 ×10°=4.0ppm δ是一个相对量，无因次，其数值与仪器的频率无关， 但不同场强下峰之间的距离不同（相对分辨率)
6 6 6 1 0 1 0 1 0 标 样 标 样 标 标 样 标 － ＝ 振荡器频率 － － ＝ H v v H H v v v （2）用位移常数表示化学位移 ppm ppm H C H Z C H 10 4.0 60 10 240 10 2.23 60 10 134 6 2 6 6 3 6 ＝ ＝ ＝ 60MHZ ppm ppm C H C H 10 4.0 100 10 400 10 2.23 100 10 223 6 2 6 6 3 6 ＝ ＝ 100MHz 是一个相对量，无因次，其数值与仪器的频率无关， 但不同场强下峰之间的距离不同（相对分辨率）
化学位移的参考标准 a b CH3-OH 1.位移的标准 6 TMS 没有完全裸露的氢核，没 有绝对的标准。 8.07.06.05.04.03.02.01.00 8/PPm 相对标准：四甲基硅烷S(CH)4(TMS)（内标) 位移常数dMS=0 2.为什么用TMS作为基准？ (1)12个氢处于完全相同的化学环境，只产生一个尖峰； (2)屏蔽强烈，位移最大；与一般有机化合物中的质子峰不 重叠； (3)化学惰性；易溶于有机溶剂；沸点低，易回收
化学位移的参考标准 没有完全裸露的氢核，没 有绝对的标准。 相对标准：四甲基硅烷 Si(CH3 )4 （TMS）（内标） 位移常数 TMS=0 2．为什么用TMS作为基准? （1） 12个氢处于完全相同的化学环境，只产生一个尖峰； （2）屏蔽强烈，位移最大；与一般有机化合物中的质子峰不 重叠； （3）化学惰性；易溶于有机溶剂；沸点低，易回收。 1．位移的标准