第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATER1 ALS SCIENGE& ENGINEERING 72.4CVD的特点及应用 、CVD的特点 CvD与其他涂层方法相比,具有如下特点: 业(1)设备简单,操作维护方便,灵活性强,既可 制造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多种成分 的合金、陶瓷和化合物镀层。通过对多种原料气体 的流量调节,能够在相当大的范围内控制产物的组 分,从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。 与(2)可在常压或低真空状态下工作,镀膜的绕 射性好,形状复杂的工件或工件中的深孔、细孔都 程 学 能均匀镀膜。 况
11 7.2.4 CVD的特点及应用 一、CVD的特点 CVD与其他涂层方法相比，具有如下特点： （1）设备简单，操作维护方便，灵活性强，既可 制造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多种成分 的合金、陶瓷和化合物镀层。通过对多种原料气体 的流量调节，能够在相当大的范围内控制产物的组 分，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。 （2）可在常压或低真空状态下工作，镀膜的绕 射性好，形状复杂的工件或工件中的深孔、细孔都 能均匀镀膜。 第七章 气相沉积技术
第七章气相沉积技术 S&三 CH口口L口 F MATERIALS SCIENGE& ENGINEERING (3)由于沉积温度高,涂层与基体之间结合好,这 甲样,经过CVD法处理后的工件,即使用在十分恶劣 的加工条件下,涂层也不会脱落 (4)涂层致密而均匀,并且容易控制其纯度、结构 大和晶粒度。 (5)沉积层通常具有柱状晶结构,不耐弯曲。但通 料过各种技术对化学反应进行气相扰动,可以得到细 晶粒的等轴沉积层。 与该法最大缺点是沉积温度高,一般在700~1100℃ 范围内,许多材料都经受不了这样高的温度,使其 学用途受到很大的限制。 12 况
12 （3）由于沉积温度高，涂层与基体之间结合好，这 样，经过 CVD法处理后的工件，即使用在十分恶劣 的加工条件下，涂层也不会脱落。 （4）涂层致密而均匀，并且容易控制其纯度、结构 和晶粒度。 （5）沉积层通常具有柱状晶结构，不耐弯曲。但通 过各种技术对化学反应进行气相扰动，可以得到细 晶粒的等轴沉积层。 该法最大缺点是沉积温度高，一般在700～1100℃ 范围内，许多材料都经受不了这样高的温度，使其 用途受到很大的限制。 第七章 气相沉积技术
第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATER1 ALS SCIENGE& ENGINEERING 724CVD的特点及应用 CD的应用 矿利用CVD技术,可以沉积出玻璃态薄膜, 业 也能制出纯度高、结构高度完整的结晶薄 膜,还可沉积纯金属膜、合金膜以及金属间 化合物。这些新材料由于其特殊的功能已在 复合材料、微电子学工艺、半导体光电技 与术、太阳能利用、光纤通信、超导电技术和 程 保护涂层等许多新技术领域得到了广泛应 学用 13 况
13 7.2.4 CVD的特点及应用 二、CVD的应用 利用CVD技术，可以沉积出玻璃态薄膜， 也能制出纯度高、结构高度完整的结晶薄 膜，还可沉积纯金属膜、合金膜以及金属间 化合物。这些新材料由于其特殊的功能已在 复合材料、微电子学工艺、半导体光电技 术、太阳能利用、光纤通信、超导电技术和 保护涂层等许多新技术领域得到了广泛应 用。 第七章 气相沉积技术
第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATER1 ALS SCIENGE& ENGINEERING cvD的应用 1复合材料制备 矿CVD法制备的纤维状或晶须状的沉积物在发展复 业合材料方面它具有非常大的作用。如Be、B、Fe、 米A2O3、SiO2SiC、SiN4AN和BN等纤维或晶 材须增强的A、Mg、T、Ni、Cu及各种树脂类高分子 聚合物等的复合材料,以及纤维和晶须增强的各种 学陶瓷类复合材料。在陶瓷中加入微米量级的超细晶 弓须,已证明可使复合材料的韧性得到明显的改进。 程 学 14 况
14 二、CVD的应用 1.复合材料制备 CVD法制备的纤维状或晶须状的沉积物在发展复 合材料方面它具有非常大的作用。如Be、B、Fe、 Al2O3、SiO2、SiC、Si3N4、AlN和BN等纤维或晶 须增强的Al、Mg、Ti、Ni、Cu及各种树脂类高分子 聚合物等的复合材料，以及纤维和晶须增强的各种 陶瓷类复合材料。在陶瓷中加入微米量级的超细晶 须，已证明可使复合材料的韧性得到明显的改进。 第七章 气相沉积技术