第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATER1 ALS SCIENGE& ENGINEERING 72化学气相沉积(CⅴD) 化学气相沉积是利用气态物质在固体表面发生化 矿学反应,生成固态沉积物的过程。化学气相沉积的 业过程可以在常压下进行,也可以在低压下进行 米CVD技术是当前获得固态薄膜的方法之一。与物理 材气相沉积不同的是:沉积粒子来源于化合物的气相 科 科 分解反应 学在相当高的温度下,混合气体与基体的表面相互 弓作用,使混合气体中的某些成分分解,并在基体上 程 形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。 学 况
1 7.2化学气相沉积（CVD） 化学气相沉积是利用气态物质在固体表面发生化 学反应，生成固态沉积物的过程。化学气相沉积的 过程可以在常压下进行，也可以在低压下进行。 CVD技术是当前获得固态薄膜的方法之一。与物理 气相沉积不同的是：沉积粒子来源于化合物的气相 分解反应。 在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互 作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上 形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。 第七章 气相沉积技术
第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATER1 ALS SCIENGE& ENGINEERING 化学气相沉积swf 甲国矿业大学材科科学与工程学院 2
2 化学气相沉积.swf 第七章 气相沉积技术
第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATERIALS SCIENGE& ENGINEERING 721CVD反应过程及一般原理 平在反应器内进行的CⅴD过程,其化学反应是不均 匀的,可在衬底表面或衬底表面以外的空间进行。 业衬底表面的大致过程如下: 学 (1)反应气体向衬底表面扩散。 (2)反应气体分子被吸附于衬底表面。 #(3)在表面上进行化学反应、表面移动、成核及 科 学 膜生长。 与(4)生成物从表面解吸 (5)生成物在表面扩散 学 况
3 7.2.1 CVD反应过程及一般原理 在反应器内进行的CVD过程，其化学反应是不均 匀的，可在衬底表面或衬底表面以外的空间进行。 衬底表面的大致过程如下： （1）反应气体向衬底表面扩散。 （2）反应气体分子被吸附于衬底表面。 （3）在表面上进行化学反应、表面移动、成核及 膜生长。 （4）生成物从表面解吸。 （5）生成物在表面扩散。 第七章 气相沉积技术
1)反应物的 CVD反应室 质量传输 气体传送 7)副产物的 8)副产物去除 2)薄膜先驱 解吸附作用 物反应 00副产物 排气 8 3)气体分子 路q8 扩散 5)先驱物扩散 6表面反应 连续膜 4)先驱物的 到衬底中 吸附 衬底
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第七章气相沉积技术 ③ S&三 CH口口L口 F MATER1 ALS SCIENGE& ENGINEERING 基本条件 沉积温度下必须有足够高的蒸汽压; 甲国矿业大学材科科学与工程学院 反应生成物除所需沉积物为固态外, 其余为气态 沉积物本身饱和蒸汽压足够低
5 • 基本条件 • 沉积温度下必须有足够高的蒸汽压； • 反应生成物除所需沉积物为固态外， 其余为气态； • 沉积物本身饱和蒸汽压足够低。 第七章 气相沉积技术