、影响化学位移的因素 factors influenced chemical shift 1.电负性一去屏蔽效应 CH3 Ch2 I 与质子相连元素的电负性 越强,吸电子作用越强,价 电子偏离质子,屏蔽作用减 弱,信号峰在低场出现。 8.07.06.0 PPr CH3,d=1.6-2.0,高场; a b CH3-oH CH2I,δ=3.0~3.5, O-H, -C-H, δ大 δ小 8.07.06.05.04.03.02.01.00 / PPm 低场 高场 0027:19
00:27:19 二、影响化学位移的因素 factors influenced chemical shift 1．电负性--去屏蔽效应 与质子相连元素的电负性 越强，吸电子作用越强，价 电子偏离质子，屏蔽作用减 弱，信号峰在低场出现。 -CH3 ， =1.6~2.0，高场； -CH2 I， =3.0 ~ 3.5, -O-H， -C-H， 大 小 低场 高场
电负性对化学位移的影响 3.5 3.0 2.5 O-CH N-CH 3 3 3442-4.02212-3100.77-188 F-CH3 CI-CH3 Br-CH3 ICH3 4.26 3.05 2.68 2.60 碳杂化轨道电负性:SP>SP2>SP3 H3C-Br H3CH2 C- Br CH3 (CH2)2-Br CH3(CH2)3-Br 2.68 1.65 1.04 0.90 Cl Cl H C-cI H2C-CI HC-CI Cl 3.05 5.33 7。24 0027:19
00:27:19 电负性对化学位移的影响 H3C Cl H2C Cl HC Cl Cl Cl Cl 3.05 5.33 7..24 F CH3 C CH3 CH3 CH3 l Br I 4.26 3.05 2.68 2.60 碳杂化轨道电负性：SP>SP2>SP3 H3C Br 2.68 H3CH2C B CH3(CH2)2 CH3(CH2)3 r Br Br 1.65 1.04 0.90 O CH3 N CH3 C CH3 3.5 3.0 2.5 3.42-4.02 2.12-3.10 0.77-1.88