驱动场效应管T栅极接通。故内部总线与P0口同相。由 于输出驱动级是漏极开路电路,若驱动NM0S或其 它拉流负载时,需要外接上拉电阻。P0的输出级可驱动 8个LST负载。 地址/数据Vc 读锁存器 控制 Po口 内部总线 PO,n 引脚 写锁存器 CLK Q MUX 读引脚
驱动场效应管T2栅极接通。故内部总线与P0口同相。由 于输出驱动级是漏极开路电路，若驱动NMOS或其 它拉流负载时，需要外接上拉电阻。P0的输出级可驱动 8个LSTTL负载。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口 引脚
②输入时——-分读引脚或读锁存器 读引脚:由传送指令M0V)实现; 下面一个缓冲器用于读端口引脚数据,当执行一条 由端口输入的指令时,读脉冲把该三态缓冲器打开, 这样端口引脚上的数据经过缓冲器读入到内部总线。 地址/数据Vc 读锁存器 控制 Po口 内部总线 PO,n 引脚 写锁存器 CLK Q MUX 读引脚
② 输入时----分读引脚或读锁存器 读引脚：由传送指令(MOV)实现； 下面一个缓冲器用于读端口引脚数据，当执行一条 由端口输入的指令时，读脉冲把该三态缓冲器打开， 这样端口引脚上的数据经过缓冲器读入到内部总线。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口 引脚
②输入时———分读引脚或读锁存器 读锁存器:有些指令如:ANLP0,A称为“读-改-写” 指令,需要读锁存器。 上面一个缓冲器用于读端口锁存器数据。 地址/数据Vc 读锁存器 控制 Po口 内部总线 PO,n 引脚 写锁存器 CLK Q MUX 读引脚
D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口 引脚 ② 输入时----分读引脚或读锁存器 读锁存器：有些指令 如：ANL P0，A称为“读-改-写” 指令，需要读锁存器。 上面一个缓冲器用于读端口锁存器数据