S111)1×2-退杂化理论解释 Si原子序数为14，外层电子为1s22s22p3s23p2 最外层电子为 3S2 3P2 3S1 3P3 成键时，3S2激发一个电子 跃迁至3P的空轨道上，成 为激发态，并以SP3杂化 形式成键
Si(111)1×2-退杂化理论解释 Si原子序数为14，外层电子为1s22s22p63s23p2 最外层电子为 成键时，3S2激发一个电子 跃迁至3P的空轨道上，成 为激发态，并以SP3杂化 形式成键。 C C C C C
S(111)1×2-退杂化理论解释 口表面原子具有的悬挂键恢复 成纯P键或纯S键，称之为 近杂化。 10928 ▣ 若A近杂化为S键，则B、C 和D为P3杂化，键角为 90°，将A向上推； Si的四个SP3杂化键的空间位置 口若A近杂化为纯P键，则B、 C和D为sp2杂化：sp2间键 角120°，将A向下拉； ▣表面晶胞形成 Si(111)1×2重构
Si(111)1×2-退杂化理论解释 表面原子具有的悬挂键恢复 成纯P键或纯S键，称之为 近杂化。 若A近杂化为S键，则B、C 和D为P3杂化，键角为 90° ，将A向上推； 若A近杂化为纯P键，则B、 C和D为sp2杂化：sp2间键 角120° ，将A向下拉； 表面晶胞形成 Si(111)1×2重构
Si(111)1×2-结构示意 侧视图 理想表面 重构表面
Si(111)1×2-结构示意 重构表面 侧视图 理想表面
重构对晶体表面反应性能的影响 Si(100)(2x1)-OH+H H2O→OHa+Ha Cu(110)+glycine甘氨酸 2WH2CH2C0OH→2NH2CH2C00。+H2T
重构对晶体表面反应性能的影响 甘氨酸
2.3、偏析 口定义：无论表面进行多么严格的清洁处理， 总有一些杂质在表面与体内之间迁移，从而 使固体表面组成与体内不同
2.3、偏析 定义：无论表面进行多么严格的清洁处理， 总有一些杂质在表面与体内之间迁移，从而 使固体表面组成与体内不同