2.汤姆孙实验 屏幕 阴极 阳极 电子动能： 2eV m
2. 汤姆孙实验 m = eV 2 2 1 电子动能： v m 2eV v =
E 电子束打在屏幕中央的条件： B E 2eV B m e E m 2VB2 电子的比荷： =1.75881962(53)×101Ckg m 电子的质量：m=9.1093897(54)×1031kg
电子束打在屏幕中央的条件： B E v = m eV B E 2 = 2 2 2VB E m e = 1 1 1 1.75881962(53) 10 C kg − = m e 电子的比荷： 9.1093897(54) 10 kg −31 电子的质量： m =
3.霍耳效应 1879年，霍尔(E.H.Ha11,1855-1936)发 现，把一载流导体放在磁场中时，如果磁场方向与 电流方向垂直，则在与磁场和电流两者垂直的方向 上出现横向电势差。这一现象称为霍耳效应，这电 势差称为霍耳电势差。 B
B 3. 霍耳效应 1879年，霍尔（E.H.Hall，1855－1936 ）发 现，把一载流导体放在磁场中时，如果磁场方向与 电流方向垂直，则在与磁场和电流两者垂直的方向 上出现横向电势差。这一现象称为霍耳效应，这电 势差称为霍耳电势差。 + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - V1 V2 I I
Fm =evB F eEn 动态平衡时： evB eEn EH =0B VH=V-V2=-EHb=-Bbu I enubd 0= enbd
动态平衡时： VH =V1 −V2 = −EH b = −Bbv Fm = evB e H F = eE H evB = eE EH = vB I = envbd enbd I v = x y z V - - - - - - - - - - - I I + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - d b B v - Fm Fe
1 Va en d 令：R1=-1 ne RH称为霍耳系数 B 如果载流子带正电荷，则 RH=- gn 霍耳系数Ru与载流子密度n成反比。在金属中， 由于载流子密度很大，因此霍耳系数很小，相应 霍耳效应也很弱。而在一般半导体中，载流子密 度n较小，因此霍耳效应也较明显
RH 称为霍耳系数 霍耳系数RH 与载流子密度n成反比。在金属中， 由于载流子密度很大，因此霍耳系数很小，相应 霍耳效应也很弱。而在一般半导体中，载流子密 度n 较小，因此霍耳效应也较明显。 d IB en V 1 H = − 令： ne R 1 H = − d IB VH = RH 如果载流子带正电荷，则 qn R 1 H =