IR Io+2iBI 1o +2i82 -1p+2号 二 1+2c2 Io +2 B 1、2 故 R 1+ 显然，IR是由Vcc通过R提供的，它是电流源电路的 参考电流，只要IR确定后，I。也就被确定
R O 2 B1 O 2 B2 I = I + i = I + i 1 2 2 2 C O C O i I i = I + = + O O I = I + 2 故 O R I I 2 1 1 + = R I 2 ) 2 1 ( 2 1 − − = ) 2 (1 I R − 显然，IR 是由 VCC 通过 R 提供的，它是电流源电路的 参考电流，只要 IR 确定后，IO 也就被确定
1o≈1R(1-马) 从此式可以看出：它们之间不是严格满足镜像关系，而 是由有限的β值产生误差，这个误差随B值的增大而减小。 同时1R又与VBE(on)有关，而β值和VBE(on)又是温度敏感 的参数，因而造成Io的热稳定性下降。 只有当Vc>VBE(On)B>2时 Io≈IR IR≈ R 才能忽略温度以及B离散性的影响。 在高精度电流源中还必须考虑基区宽度调制效应的影响， 当计入基区宽度调制效应时：
) 2 (1 I O I R − 从此式可以看出：它们之间不是严格满足镜像关系，而 是由有限的β值产生误差，这个误差随β值的增大而减小。 同时IR 又与VBE(on) 有关，而β值和VBE(on) 又是温度敏感 的参数，因而造成 IO 的热稳定性下降。 只有当 2 VCC VBE(o n) 、 时 O R I I R V I CC R 才能忽略温度以及β离散性的影响。 在高精度电流源中还必须考虑基区宽度调制效应的影响， 当计入基区宽度调制效应时：
ic Ise- (-V E VCE2 VA Is2(Va-VCE2 ic2=is(VA-ve ic Sa(VA-VCEa ie SEI (VA-VCE1) 当SE2=SE1时，已知VcEo1=VBE(om
(1 ) A CE T B E C S V v V v i = I e − (1 ) (1 ) 2 2 2 1 1 1 A CE S C A CE S C V v I i V v I i − = − 1 1 1 2 2 2 ( ) ( ) C S A CE S A CE C i I V v I V v i − − = 1 1 1 2 2 ( ) ( ) C E A CE E A CE i S V v S V v − − = 当 SE2 = SE1 时， 已知 VCEQ1 = VBE(on)
可见计入基区调制效应后，进一步降低了I。的精度和热 稳定性。 通常 VBE(OM <<VA 若满足 VCEQ2 <<VA 则可忽略基区调制效应的影响。 (2)、恒流特性： 为了保持恒流特性，应该增大Ro· 根据电路得：Ro≈rce2 的小0
R A BE o n A CEQ C E E O C I V V V V i S S I i )( ) 2 (1 ( ) 2 1 1 2 2 − − = = = − 可见计入基区调制效应后，进一步降低了IO 的精度和热 稳定性。 通常 VBE(on) VA 若满足 VCEQ2 VA 则可忽略基区调制效应的影响。 （2）、恒流特性： 为了保持恒流特性，应该增大 RO 。 根据电路得： O ce2 R r R re rb'e gmvb' e rce2 T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R
2、减小β值影响的镜像电流源电路 如图所示 与前面介绍的电流源不同的 是，用T3管代替T1管的集电极 g 与基极的短路线。 此电路是利用T?管的电流放大作 用，以减小B1、2对1R的分流，使 B iC1更接近I,从而有效的减小了IR 转换为c2过程中由于有限的邹值引入 的误差
2、减小β值影响的镜像电流源电路 如图所示 与前面介绍的电流源不同的 是，用T3 管代替 T1 管的集电极 与基极的短路线。 此电路是利用T3 管的电流放大作 用，以减小 iB1、iB2 对IR 的分流，使 iC1 更接近 IR ，从而有效的减小了IR 转换为iC2 过程中由于有限的β值引入 的误差。 T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR T3 iE3 iB1 iB2 iB3 R