在任何边界上，磁通密度的法向分量是连续的。即Bin = B2n或写成矢量形式e. (B, - B)= 0eB xds =0 求得。上式由磁通连续性原理对于各向同性的线性媒质，得 m,Hin=m,H2n电通密度的法向分量边界条件与介质特性有关。在一般情况下，由高斯定律求得Dn- Din =rs或写成矢量形式e, D,- D)=rs式中口为边界表面上自由电荷的面密度。7V
② 在任何边界上，磁通密度的法向分量是连续的。 或写成矢量形式 ③ 电通密度的法向分量边界条件与介质特性有关。 在一般情况下，由高斯定律求得 或写成矢量形式 式中 S 为边界表面上自由电荷的面密度。 对于各向同性的线性媒质，得 上式由磁通连续性原理 求得。 即
两种理想介质的边界上不可能存在表面自由电荷，因此Din = D,21对于各向同性的线性介质，得e,En=eE2n磁场强度的切向分量边界条件也与介质特性有关。在一般情况下，由于边界上不可能存在表面电流,根据全电流定律，只要电通密度的时间变化率是有限的，可得Hi.t = H2t或写成失量形式en'(H, - H)=0KV
两种理想介质的边界上不可能存在表面自由电 荷，因此 ④ 磁场强度的切向分量边界条件也与介质特性有 关。 在一般情况下，由于边界上不可能存在表面电 流，根据全电流定律，只要电通密度的时间变化率 是有限的，可得 或写成矢量形式 对于各向同性的线性介质，得
在理想导电体表面上可以形成表面电流，此时磁场强度的切向分量不再连续。Hz- Hit=J,e,"(H,-H)=J在理想导电体内部不可能存在时变电磁场及时变的传导电流，它们只可能分布在理想导电体的表面。口J=OEE+0动口H+0E￥0E(t), B (t), J (t) = 0口J+0H0KM
在理想导电体表面上可以形成表面电流，此时 磁场强度的切向分量不再连续。 在理想导电体内部不可能存在时变电磁场及时 变的传导电流，它们只可能分布在理想导电体的表 面。 E(t), B (t), J (t) = 0 E ≠ 0 J = E H ≠ 0 E ≠ 0 J ≠ 0 H ≠ 0
已知在任何边界上，电场强度的切向分量及磁通密度的法向分量是连续的，因此理想导体表面上不可能存在电场切向分量及磁场法向分量，即时变电场必须垂直于理想导电体的表面，而时变磁场必须与其表面相切。enEHV
已知在任何边界上，电场强度的切向分量及磁通 密度的法向分量是连续的，因此理想导体表面上不可 能存在电场切向分量及磁场法向分量，即时变电场必 须垂直于理想导电体的表面，而时变磁场必须与其表 面相切。 E H , en et ① ②
enEH2t Js②He61Hit桥因 D。=0，由前式得寻 D, =r、 或 e,xD=rs由于理想导电体表面存在表面电流Js，令表面电流密度的方向与积分回路构成右旋关系，因H,=0，求得或e.H=JH2zt = Js△V
因 ，由前式得 或 由于理想导电体表面存在表面电流JS，令 表面电流密度的方向与积分回路构成右旋关系， 因 ，求得 或 E H , en et ① ② H1t H2t JS