晶体二极管开关待性: 紧命电命斜除解命争 实际情况,二极管反偏时:in≠0 当V=v时,二极管导通=n DE 当V由+vF下跳到一V瞬间, 反向电流 R R L 极管仍然导通,PN结两端仍有 很小管压降。只有经过一段时间tR以后, 流经二极管的电流才近似等于反向电流 tR:反向恢复时间。tR=ts+t ts:存储时间。 t:下降时间。 回回阿回阿回呵呵同回回阿回回回回同回回阿回回回4≯會
实际情况，二极管反偏时： i F 0 当 VI = VF 时，二极管导通。 L I DF F R V V i − = 当 VI由＋VF下跳到－VR瞬间， L R R R V i = − 二极管仍然导通，PN结两端仍有 很小管压降。只有经过一段时间t R以后， 流经二极管的电流才近似等于反向电流 IO 。 t R ：反向恢复时间。t R = t s + t f t s ：存储时间。 t f ：下降时间。 F i Vi 0 t VF VR i t 0 F i R i 反向电流 R t S t f t + - VI VDF
反向恢复时间形顽原 紧命得电命斜除解命段你 PN结正偏时,在外电压作用下,PN结两端多数载流 子不断向对方扩散,P区的空穴扩散到N区,N区的电子扩 散到P区。P区存有大量电子,N区存有大量空穴。 当外加电压由+vF下跳到-VR时: P区积累的大量电子被反向电场拉回到N区,N区积累 的大量空穴被反向电场拉回到P区。形成电子、空穴漂移电 流,这两个漂移电流就构成了反向电流i=vR/RL。 存儲时间t:反向电流i使存储电荷逐渐消失,靠近空间电荷 区的存储电荷消失的比较快,当空间电荷区的边界处没有存储 电荷时,极管由正偏转向反偏。存储时间结束。 下降时间t:二极管由正偏转向反偏以后,反向电流随漂 移电流的減少而减小。一般认为反向电流近似为:-0 VR/R时,下降时间t结束。tR一般只有几个ns 回回阿回回阿回啊阿回阿阿回啊啊阿‘≯會
PN结正偏时，在外电压作用下，PN结两端多数载流 子不断向对方扩散，P区的空穴扩散到N区，N区的电子扩 散到P区。P区存有大量电子，N区存有大量空穴。 当外加电压由＋VF下跳到－VR时： P区积累的大量电子被反向电场拉回到N区， N区积累 的大量空穴被反向电场拉回到P区。形成电子、空穴漂移电 流，这两个漂移电流就构成了反向电流 i R = -VR/RL 。 存储时间 ts : 反向电流 i R 使存储电荷逐渐消失,靠近空间电荷 区的存储电荷消失的比较快,当空间电荷区的边界处没有存储 电荷时,二极管由正偏转向反偏。存储时间结束。 下降时间 tf : 二极管由正偏转向反偏以后，反向电流随漂 移电流的减少而减小。一般认为反向电流近似为 ：－0.1 VR / RL时，下降时间 t f 结束。t R一般只有几个 ns