第二节只诶存储景(ROM ROM:是存储固定信息的存储器,使用时只能读出所存 的信息而不能写入数据。 、ROM分类: 1、固定ROM(掩膜ROM) 用户专用ROM,用户将程序代码交给心C生产商,生产 商在芯片制造过程中将用户程序代码固化在C的ROM中 用户在使用过程只能读出不能写入。 适合于大批量生产使用,性价比高。 2、可编程RoM(PRoM) PROM所存的数据,由用户自己根据要求写入。但是 只能写一次,不允许第二次改写。 适合于小批量试产使用,有保密位,可以加密。价格 较高
ROM:是存储固定信息的存储器，使用时只能读出所存 的信息而不能写入数据。 一、ROM分类： 1、固定ROM(掩膜ROM): 用户专用ROM,用户将程序代码交给IC生产商，生产 商在芯片制造过程中将用户程序代码固化在IC的ROM中， 用户在使用过程只能读出不能写入。 2、可编程ROM(PROM) PROM所存的数据，由用户自己根据要求写入。但是 只能写一次，不允许第二次改写。 适合于小批量试产使用，有保密位，可以加密。价格 较高。 适合于大批量生产使用，性价比高
3、可檫除,可编程ROM( EPROMX程序调试期间使用) EPROM:用紫外光可以擦除ROM中全部信息。擦除时间几分钟, 然后用专用编程器进行编程写入。 EEPR○M:电擦除R○M,直接在编程器上用电压信号进行擦除。重 新写入和擦除同步进行。擦除时间为20ms EAPROM:直接在系统中擦除和改写,可以擦除全部内容,也可以 只擦除部分字节。正常使用只能读出不能写入。 只读存储器ROM中的数据可以存储5~20年而不丟失。 、ROM工作原理 1、ROM结构 W1MAyR红 由三部分组成 码 驱字X位 ☆地址译码器 输_^MM ☆存储矩阵 入 字线 ☆读出放大,选择电路 B0BB位线 当地址译码器选中某一个字线后, 读写 读出放大 该字线的若干位同时读出。 控制 选择电路 ☆12位地址212=4096字XN位(N=8、16、32)打↓
3、可檫除，可编程ROM（EPROM)(程序调试期间使用） EPROM:用紫外光可以擦除ROM中全部信息。擦除时间几分钟， 然后用专用编程器进行编程写入。 EEPROM:电擦除ROM，直接在编程器上用电压信号进行擦除。重 新写入和擦除同步进行。擦除时间为20ms。 EAPROM:直接在系统中擦除和改写，可以擦除全部内容，也可以 只擦除部分字节。正常使用只能读出不能写入。 只读存储器ROM中的数据可以存储5~20年而不丢失。 二、ROM工作原理 1、ROM结构 译 码 驱 动 MXN矩阵 字X位 读出放大， 选择电路 A1 A2 An W0 W1 WM-1 B0 B1 BN-1 字线 位线 由三部分组成： ☆ 地址译码器 ☆ 存储矩阵 ☆ 读出放大，选择电路 当地址译码器选中某一个字线后， 该字线的若干位同时读出。 2 12＝4096字XN位（N=8、16、32） 地 址 码 输 入 ☆ 12位地址 读写 控制
例:固定PRoM CC 分析已存入数据的固定 ROM电路。(二极管作 存储单元) ☆地址译码器 Wo=A1 Ao W=A1Ao 地址译码 0 器位 地址译码器是一个与门 阵列,每一个字线对应一个 对财字线线 最小项,且是全部最小顷项。 存储单元 存储单元 输出缓冲 2 D3=W3+M=A Ao+ A1Ao D2=W3+m2+Wo=AA+ A, Ao+ A1 Ao D=W3+W2+M=AA+A, Ao+A1A Do=M2+Wo=A Ao+ A1Ao EN 存储单元是一个或门阵列,每一个位线 是将所对应的与项相加,是最小项之和。 4≯會
1 1 输 出 缓 冲 VCC A1 A0 D1 D3 D2 D0 VCC 例：固定PROM 地 址 译 码 器 EN W0 W1 W2 W3 存 储 单 元 字线 分析已存入数据的固定 ROM电路。（二极管作 存储单元） ☆ 地址译码器 1 0 W0 = A A 0 1 W1 = A A 0 W2 = A1 A W3 = A1 A0 ☆ 存储单元 0 1 D3 =W3 +W1 = A1 A0 + A A 0 1 0 D2 =W3 +W2 +W0 = A1 A0 + A1 A + A A 0 0 1 D1 =W3 +W2 +W1 = A1 A0 + A1 A + A A 0 1 0 D0 =W2 +W0 = A1 A + A A 地址译码器是一个与门 阵列，每一个字线对应一个 最小项，且是全部最小项。 存储单元是一个或门阵列，每一个位线 是将所对应的与项相加，是最小项之和。 位 线
☆地址译哭字线和友 储矩阵(位 只有W对 D,=w+w 有0为0,全1为1。1其余为 0线为0 D2=M,+W2+Wo=AA+ A Ao+Al ac D1=W3+W2+W=A4+A1A+A1A003 D=W+W=A, Ao+ AlAc 0 地址译码器 AA D, D2 D, Do 00 020 01 有1为1,全0为0 10 输出缓冲 2 11 单元 to iMto 字线W和位线D的每个交叉点都是 个存储单元。交叉点接二极管 时相当于存1,没有接二极管相当 于存0。交叉点的数目就是存储单存储容量=字数X位数=4X4 元数。交叉点还可以接三极管、MoS管等。 4≯會
1 1 输 出 缓 冲 VCC A1 A0 D1 D3 D2 D0 地 址 译 码 器 存 储 单 元 W0 W1 W2 W3 ☆ 地址译码器（字线）和存 储矩阵（位线）之间的关系。 0 1 0 D0 =W2 +W0 = A1 A + A A 0 0 1 D1 =W3 +W2 +W1 = A1 A0 + A1 A + A A 0 1 0 D2 =W3 +W2 +W0 = A1 A0 + A1 A + A A 0 1 D3 =W3 +W1 = A1 A0 + A A A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 字线W和位线D的每个交叉点都是 一个存储单元。交叉点接二极管 时相当于存1，没有接二极管相当 于存0。交叉点的数目就是存储单 元数。 存储容量＝字数X位数＝4X4 交叉点还可以接三极管、MOS管等。 只有W0为 1其余为字 0 线为0 1 1 0 有0为0，全1为1。 有1为1，全0为0
★PROM方框图: A 与阵列是输入 地址与阵列变量的全部最B 小项。不可编B 程 与项相 加,可 编程 或阵列[位线 DDDD ★PROM通用阵列图表示法:例:用二极管作存储单 将字线和位线画成相互垂直元的固定RON 的一个阵列,字线和位线的AAD3D2D,D 每一个交叉点对应一个存储|000101 单元,在交叉点上画一个011010 “点”,表示该单元存“1,10011111 否则表示该单元存“0”。 111110 回阿阿阿阿回回回回回回阿啊仆》會
★ PROM通用阵列图表示法： 将字线和位线画成相互垂直 的一个阵列，字线和位线的 每一个交叉点对应一个存储 单 元 ， 在交叉点上画一个 “点” ，表示该单元存“1” ， 否则表示该单元存“0” 。 A B A B W0 W1 W2 W3 ★ PROM方框图： 地址码 与阵列 字 线 或阵列 位线 与阵列是输入 变量的全部最 小项。不可编 程。 与项相 加，可 编程 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 D0 D1 D2 D3 例：用二极管作存储单 元的固定ROM