（2）典型集成电路8位移位寄存器74HC/HCT164DsA&D1DsB>C1rRrRrR1CP1CR111QoQ1Q1内部逻辑图
（2）典型集成电路 1D C1 R 1 1 1 1 1 Q0 1D C1 R 1 Q1 1D C1 R 1 Q7 CP CR R DSA DSB & . . . 内部逻辑图 8位移位寄存器74HC/HCT164
2.多功能双向移位寄存器（1）工作原理高位移向低位.-左移低位移向高位----右移多功能移位寄存器工作模式简图并行输入DoDiD2D3右移串行输入（D）右移串行输出（DoR）FFFFFFFF左移串行输出（DoL）左移串行输入（DL）QoQ1Q2Q3并行输出P
2. 多功能双向移位寄存器 D0 FF 0 D1 FF 1 D2 FF 2 D3 FF 3 并行输入 并行输出 右移串行输入（DIR） 左移串行输出（DO L） 右移串行输出（DO R） 左移串行输入（DIL） Q0 Q1 Q2 Q3 多功能移位寄存器工作模式简图 （1）工作原理 高位移向低位-左移 低位移向高位-右移
实现多种功能双向移位寄存器的一种方案（仅以FF为例）高位移S,S-10 Q"l =Q"不变SS-000"+=Q"向低位低位移并入O"+=D天=0"S,S,-11O"+lS,S-01向高位Dm0320So1SiMUX--MUXmFFm-1FFmFFm+1DDm-11D1DDm+i1D>C1C1>C1>CPQm+1mQm-1A人
1D C1 1D C1 FFm 0 1 3 2 1 0 MUX MUXm Dm–1 Dm FFm–1 1D C1 FFm+1 Dm+1 Dm CP S1 S0 Qm–1 Qm Qm+1 实现多种功能双向移位寄存器的一种方案(仅以FFm为例) n m n Qm Q 1 1 − + = n m n Qm Q 1 1 + + = m n Qm = D +1 S1 S0=00 S1 S0=01 高位移 S1 S0=10 向低位 S1 S0=11 n m n Qm = Q +1 并入 不变 低位移 向高位
（2）典型集成电路CMOS4位双向移位寄存器74HC/HCT194DIDloDI3古含古古古-5口0So口口DsR&&&&&&&&>19ECE0-FFoFFFF2FF3GGG1S1S1S1SDQoQ102DiDoD3D2>C1>C1>C1>C1RRD2DD,RRDd0CP0CR中中中中QiQ2QoQ3人
（2）典型集成电路 CMOS 4位双向移位寄存器74HC/HCT194 1 S C1 FF0 S1 1 & 1 R R 1 DSR 1 S0 1 1 1 & & & 1 DI0 & & & & 1 DI1 & & & & 1 DI2 & & & & 1 DI3 1 DSL ≥1 D0 D0 CP 1 1 S C1 FF1 1 R R 1 ≥1 D1 D1 1 S C1 FF2 1 R R 1 ≥1 D2 D2 1 S C1 FF3 1 R R 1 ≥1 D3 D3 CR 1 1 Q0 1 Q1 1 Q2 1 Q3 Q0 Q1 Q2 Q3
74HCT194的功能表输入输出清控制信串行输并行输入入零号时钟行左右or'ooCRCP移S移S.DlDLDLDIDsRDsL1LLLLLxxXxXxXXxQ"Q"Q"2LLHxQ"XxxxxxQ"Q"Q"3HHLLxXxXXLQnQ"Q2H4HLHHxXXxx个Qn5LQ'HXQ2HL个XxXLX6HHHHLxxxXQ"个Q"Q"7D,D2HHHxDoD3X个DI.*DI*DI,*DL37人
74HCT194 的功能表 1 0 n+ Q 1 1 n+ Q 1 2 n+ Q 1 3 n+ CR Q n Q0 n Q1 n Q2 n Q3 n Q1 n Q2 n Q0 n Q1 n Q2 n Q3 n Q1 n Q2 n Q3 D 7 DI3 D0 D1 D2 3 DI * 2 DI * 1 H H H × × ↑ DI0 * * H H L × H ↑ × × × × H 6 H H L × L ↑ × × × × L 5 H L H H × ↑ × × × × H 4 H L H L × ↑ × × × × L 3 H L L × × × × × × × 2 L × × × × × × × × × L L L L 1 DI DI0 DI1 DI2 3 左 移 DSL 右 移 DSR S1 S0 行 并行输入 时 钟 CP 串行输 入 控制信 号 清 零 输 入 输 出 n Q0 n Q1 n Q2