3.2TTL逻辑门3.2.1BJT的开关特性3.2.2基本BJT反相器的动态特性3.2.3TTL反相器的基本电路3.2.4TTL逻辑门电路3.2.5集电极开路门和三态门3.2.6BiMOS门电路A
3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 3.2.6 BiMOS门电路
3.2TTL逻辑门3.2.1BJT的开关特性VcciciB5iBs=iB4B/RiBscS1CRpiB2-一iB1BiB=0AVCESUCELcCV-0V时：ig~0i~0，Vo=Vce~Vcc，c、e极之间近似于开路，V-5V时：i~0，ic~0o=Vce~0.2V，c、e极之间近似于短路A人
3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 iB 0，iC 0，vO＝VCE v ≈VCC，c、e极之间近似于开路, I=0V时: iB 0，iC 0，vO＝VCE v ≈0.2V，c、e极之间近似于短路, I=5V时:
BJT的开关条件饱和截止放大工作状态TcsIcsig>0<ig<条件ig~0ββ发射结和集发射结和集电发射结正偏，偏置情况电结均为反偏结均为正偏集电结反偏集电极电ic~0ic=βiB工作特点且不随i增加而流增加管压降VcEs = 0.2~0.3 VVcEo ~ VccVce = Vcc - icR.很大，约为很小，约为数c、e间等可变数百干欧，相百欧，相当于效内阻当于开关断开开关闭合A公-
iC＝ICS≈ V R CC c 很小，约为数 百欧，相当于 开关闭合 可变 很大，约为 数百千欧，相 当于开关断开 c、e间等 效内阻 管压降 VCEO ≈ VCC VCE＝VCC－iCRc VCES ≈ 0.2~0.3 V 且不随iB增加而 增加 ic ≈ iB iC ≈ 0 集电极电 流 发射结和集电 结均为正偏 发射结正偏， 集电结反偏 发射结和集 电结均为反偏 偏置情况 工 作 特 点 i iB > 条件 B≈0 工作状态 截 止 放 大 饱 和 BJT的开关条件 0 < iB < CS I CS I
2.BJT的开关时间UVHBJT饱和与截止两种状态的相O互转换需要一定的时间才能完成(a)iolcs0.91cs从截止到导通0.1cs0开通时间tn（=t+t)Ld(b)VoVcc从导通到截止O关闭时间tot=t+t)(c)
2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr ) 从导通到截止 关闭时间toff(= t s+t f ) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成
3.2.2基本BJT反相器的动态性能若带电容负载VcciReRC.的充、放电过程均需经历一定ACY的时间，必然会增加输出电压U·波Rb+CL形的上升时间和下降时间，导致基D+VoUiB本的BJT反相器的开关速度不高。i故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路A
CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。 3.2.2基本BJT反相器的动态性能 若带电容负载 故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路