逻辑值与对应的电平（把斜率为一1的点看成是反相器开始翻转的临界点）信号从前一级的输出（有互连线的噪声）传输到下一级的输入时，信号电平允许的变化范围，称为直流噪声容限。它表示输入端的抗干扰能力，即稳定性的度量VoutVoHSlope = -1OHVUndefinedRegionORTransitionwidth, TWVSlope = -1VoL“O”VOLVVIL ViHin西安交通大学微电子研究所Chap4 P.23
微电子研究所 Chap4 P.23 逻辑值与对应的电平(把斜率为－1的点看成是反相器开 始翻转的临界点) VIL VIH Vin Slope = -1 Slope = -1 V OL VOH Vout “ 0” VOL VIL VIH VOH Undefined Region “ 1” Transition width, TW OR 信号从前一级的输出（有互连线的噪声）传输到下一级的 输入时，信号电平允许的变化范围，称为直流噪声容限。 它表示输入端的抗干扰能力,即稳定性的度量
噪声容限定义当数字电路相互级连时，出于电路鲁棒性的考虑，“0'和1离得越大越好："1"高电平噪声容限VOHNMH=VOH-VIHNMVIH不确定区域V低电平噪声容限VOLNM,=VL-VoL"o"Gate InputGate Output西安交通大学微电子研究所Chap4 P.24
微电子研究所 Chap4 P.24 噪声容限定义 高电平噪声容限 NMH=VOH-VIH 低电平噪声容限 NML=VIL-VOL VIH VIL 不确定 区域 "1" "0" VOH VOL NMH NML Gate Output Gate Input •当数字电路相互级连时，出于电路鲁棒性的考虑，‘0’和‘1’ 离得越大越好：
另外一种简单的噪声容限定义在反相器直流特性曲线比较陡的时候，可以近似认2.5为反相器的逻辑阈值点是状态转换的临界点。定义：2M 1.5NM,=VM-VoLNM,L0OANMμ=VoH-VMM这种方法简单有效，但比NMH10.5较粗糙。111.522.500.5 ViN (M)西安交通大学微电子研究所Chap4 P.25
微电子研究所 Chap4 P.25 另外一种简单的噪声容限定义 在反相器直流特性曲线比 较陡的时候，可以近似认 为反相器的逻辑阈值点是 状态转换的临界点。定义： NML=VM-VOL NMH=VOH-VM 这种方法简单有效，但比 较粗糙。 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 VIN (V) VOUT (V) NMH NML V M
4.1.3瞬态特性CMOS反相器延时定义：延时时间t：输入电压变化到50%Vpp的时刻到输出电口压变化到50%Vpp的时刻之间的时间间隔。上升时间t：信号电平从0.1Vpp上升到0.9Vpp的时间；口下降时间t：信号电平从0.9Vpp下降到0.1Vpp的时间；西安交通大学微电子研究所Chap4 P.26
微电子研究所 Chap4 P.26 4.1.3 瞬态特性 CMOS反相器延时 定义： 延时时间td：输入电压变化到50%VDD的时刻到输出电 压变化到50%VDD的时刻之间的时间间隔。 上升时间tr：信号电平从0.1VDD上升到0.9VDD的时间； 下降时间tf：信号电平从0.9VDD下降到0.1VDD的时间；
延时的定义（以CMOS反相器输入输出为例）VinVVoutin50%ttpHLX下降延时：ti'pLHVout：上升延时：t:-190%门电路(反相器)的50%传输延时定义为：t10%tp=(tpHL+pLHLH)/21pdtftr1-西安交通大学微电子研究所Chap4 P.27
微电子研究所 Chap4 P.27 延时的定义 （以CMOS反相器输入输出为例） Vout tf tpHL tpLH tr t Vin t 90% 10% 50% 50% tf：下降延时； tr：上升延时； 门电路(反相器)的 传输延时定义为： tpd=(tpHL+tpLH)/2 Vin Vout