剪切振动（⑥）←面内弯曲振动一摇摆振动(p) 摇摆振动（ω）·面外弯曲振动一卷曲振动()
摇摆振动 (ω ) 面外弯曲振动 卷曲振动 (τ) 剪切振动 (δs ) 面内弯曲振动 摇摆振动 (ρ)
同一类型化学键，由于环境不同，力常数 并不完全相同，因此，吸收峰的位置不同。 ·只有引起分子偶极矩发生变化的振动才会 出现红外吸收峰。 R-C=C一R 无红外吸收峰 化学键极性越强，振动时偶极矩变化越 大， 吸收峰越强。 极性官能团一般都在高频区有较强的红 外吸收特征峰
• 同一类型化学键，由于环境不同，力常数 并不完全相同，因此，吸收峰的位置不同。 • 只有引起分子偶极矩发生变化的振动才会 出现红外吸收峰。 R C C R C C R H R H 无红外吸收峰 化学键极性越强，振动时偶极矩变化越 大，吸收峰越强。 极性官能团一般都在高频区有较强的红 外吸收特征峰
8.2.2有机化合物基团的特征频率 相同的基团或价键在特定的位置区域出 现相同的吸收峰 基团的特征吸收峰（特 征峰) 影响化学键振动频率的因素： 成键原子质量越小，其化学键的振动频率 越高。 化学键 伸缩振动频率范围/cml C一H 28502950 O一H 3200~3600 N-H 3350~3500 比C一C、 C一N、C一O键的1600-1300cm-1频率高
相同的基团或价键在特定的位置区域出 现相同的吸收峰 ——基团的特征吸收峰(特 征峰)。 8.2.2 有机化合物基团的特征频率 影响化学键振动频率的因素： 化学键 伸缩振动频率范围/cm-1 C―Ｈ 2850~2950 O―H 3200~3600 N―H 3350~3500 ▲ 成键原子质量越小，其化学键的振动频率 越高。 比C―C、C―N、C―O键的1600-1300cm-1频率高
▲化学键刚性越强，其振动频率越高 化学键 频率范围/cm-l C三C 2100~2200 C三N 2240~2280 C=C 1620~1680 C=0 1630≈1780 官能团伸缩振动特征峰一般在4000-1500 cm1(高频特征区)。 弯曲振动特征峰一般在1500-400cm1(低 频指纹区)
▲ 化学键刚性越强，其振动频率越高 化学键 频率范围/cm-1 2100~2200 2240~2280 1620~1680 1630~1780 C C C N C C C O 官能团伸缩振动特征峰一般在4000-1500 cm-1（高频特征区）。 弯曲振动特征峰一般在1500-400cm-1（低 频指纹区）
0 高频区 指纹区 3600 3200 250 2430 20005001600140012001000820650 波数/cm 图83正辛烷的红外光谱图 100杆 90 801 CIL.CLCILCTCICn-0 20- 200 0 20 00 波数/cm 图8.42-甲基庚烷的红外光谱图
图8.3 正辛烷的红外光谱图 T / % 图8.4 2–甲基庚烷的红外光谱图 T / % 高频区 指纹区