子术 PN结的单向导电性 1.PN结加正向电压(正向偏置)P接正、N接负 PN结变窄 9Q999④由中中中 动画 999中中中 内电场N F PN结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较 大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 IF PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 P 内电场 N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + 动画 + –
a电子技术 mozi 2.PN结加反向电压(反向偏置)P接负、N接正 PN结变宽 e⊙③|④④团④④ 内电场N 外电场 R PN结加反向电压时,PN结变宽,反向电流较小, 反向电阻较大,PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多,反向电流将随温度增加。 总目录章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 PN 结变宽 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 IR P接负、N接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 动画 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。 P 内电场 N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － －
半导体二极管 子术 二极管的结构示意图 阳极引线 二氧化硅保护层 金属触丝N型锗片 阳极引线 阴极引线 P型硅 N硅 (a)点接触型外壳 阴极引线 铝合金小球n阳极引线 (c)平面型 N型硅 PN结 金锑合金 底座 阳极D阴极 阴极引线 (d)符号 (b)面接触型 图1-12半导体二极管的结构和符号 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P型硅 N型硅 (c ) 平面型 金属触丝 阳极引线 N型锗片 阴极引线 外壳 (a) 点接触型 铝合金小球 N型硅 阳极引线 PN结 金锑合金 底座 阴极引线 (b) 面接触型 图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号 半导体二极管 二极管的结构示意图 阳极 阴极 (d) 符号 D
◆令令令令①令令令争 来景体二极管 子术 令令令令令令令 基本结构 (a)点接触型 (b)面接触型 结面积小、 结面积大 结电容小、正 正向电流大、 向电流小。用 结电容大,用 于检波和变频 于工频大电流 等高频电路 整流电路。 (c)平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小,用于高频整流和开关电路中。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 半导体二极管 基本结构 (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。 结面积大、 正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小，用于高频整流和开关电路中