子术 注意: (1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差; (2)温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性 能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性 能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大
子术 N型半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素), 形成杂质学导体在常温下即可 >变为自由电子掺入五价元素 S 掺杂后自由电子数目三 余大量增加,自由电子导电 0③8电成为这种半导体的主要导 子电方式,称为电子半导体 动画 或N型半导体。 失去 磷原子 在N型半导体中自由电子 电子变为 是多数载流子,空穴是少数 正离子 载流子。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 N型半导体和 P 型半导体 掺杂后自由电子数目 大量增加，自由电子导电 成为这种半导体的主要导 电方式，称为电子半导体 或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si p+Si Si 多 余 电 子 磷原子 在常温下即可 变为自由电子 失去一个 电子变为 正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子 是多数载流子，空穴是少数 载流子。 动画
子术 N型半导体和P型半导体 >⑩了y>D 动画掺入三价元素 Si 空穴 掺杂后空穴数目大量 增加,空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 CB S 式,称为空穴半导体或 硼原子 P型半导体 接 在P型半导体中空穴是多 电子变为 数载流子,自由电子是少数 负离子 载流子。 无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。 总目录章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 N型半导体和 P 型半导体 掺杂后空穴数目大量 增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多 数载流子，自由电子是少数 载流子。 B– 硼原子 接受一个 电子变为 负离子 空穴 动画 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性
子术 1.在杂质半导体中多子的数量与a (a.掺杂浓度、b温度)有关。 2.在杂质半导体中少子的数量与b (a.掺杂浓度、b.温度)有关。 3.当温度升高时,少子的数量c (a.减少、b.不变、c.增多)。 4.在外加电压的作用下,P型半导体中的电流 主要是b,N型半导体中的电流主要是a (a.电子电流、b空穴电流) 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a
PN结 子术 PN结的形成 空间电荷区也称PN结 P型半导体 N型半导体 eG⊙⊕④⊕④④ 999⊙⊙⊕⊕④中中 动画99Q99中中中中 浓度差 形成空间电荷区 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 PN结 PN结的形成 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 空间电荷区也称 PN 结 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － 动画 － 形成空间电荷区