子术 第一章率导体二极管 本章要求: 理解PN结的单向导电性 二、了解二极管、稳压管工 会分析含有二极管的电路。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 第一章 半导体二极管 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性 二、了解二极管、稳压管工 三、会分析含有二极管的电路
子术 对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况, 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果 对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标, 就不要过分追究精确的数值。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标， 就不要过分追究精确的数值。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用
子术 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征 半导体。 >>飞, 心 X Si 5I( Si 共价健 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价键中的两个电子,称为价电子。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征 半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子
自由电子本征半导体的导电机 a电子 价电子在获得一定能量 >⑩八>飞, (温度升高或受光照)后, e6③ 即可挣脱原子核的束缚, 成为自由电子(带负电) >>>> 同时共价键中留下一个空 Si Si位,称为空穴(带正电) 空穴 >33 这一现象称为本征激发 温度愈高,晶体中产 价电子」生的自由电子便愈多。 在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子 来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当 于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量 （温度升高或受光照）后， 即可挣脱原子核的束缚， 成为自由电子（带负电）， 同时共价键中留下一个空 位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当 于空穴的运动（相当于正电荷的移动）
半导体的导电特性 子术 ◆◆令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令令 半导体的导电特性: 热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。 光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化(可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。 总目录章目录返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强