4.3电荷耦合器件 在MOS电容金属电极上,加以脉冲电压,排斥掉半 导体衬底内的多数载流子,形成“势阱”的运动, 进而达到信号电荷(少数载流子)的转移。 图像传感器:转移的信号电荷是由光像照射产生; 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到,则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能
4.3 电荷耦合器件 在MOS电容金属电极上，加以脉冲电压，排斥掉半 导体衬底内的多数载流子，形成“势阱”的运动， 进而达到信号电荷（少数载流子）的转移。 图像传感器：转移的信号电荷是由光像照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸如方式得到，则其可以 具备延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功 能
4.3电荷耦合器件 4.3.1电荷耦合器件的结构和工作原理 4.3.2CCD图像传感器 4.3.3图像传感器的应用
4.3 电荷耦合器件 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 4.3.2 CCD图像传感器 4.3.3 图像传感器的应用
43.1电荷耦合器件的结构和工作原理 cCCD是一种半导体器件 ■■■ P-Si N 图431MOS电容的结构 1.金属2.绝缘层SiO 上一页 下一页
4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 ⚫ CCD是一种半导体器件 图4.3.1 MOS电容的结构 1．金属 2．绝缘层SiO2 返 回 上一页 下一页
平带条件下的能带 氧化物 半导体 E导带底能量 E E禁带中央能级 金属 E 电子能量 E费米能级 E E价带顶能量 平带条件 当MOS电容的极板上无外加电压时,在理想情况下,半导体从 体内到表面处是电中性的,因而能带(代表电子的能量)从表面到 内部是平的。 上一页 下一页
平带条件下的能带 Ec导带底能量 Ei禁带中央能级 Ef费米能级 Ev价带顶能量 平带条件： 当MOS电容的极板上无外加电压时，在理想情况下，半导体从 体内到表面处是电中性的，因而能带(代表电子的能量)从表面到 内部是平的。 返 回 上一页 下一页
加上正电压MOS电容的能带 耗尽层 反型层耗尽层 E E E E (a栅压U较小时,MOS电容器处于耗尽状态。 (b)栅压U增大到开启电压Ut时,半导体表面的费米能级 高于禁带中央能极,半导体表面上的电子层称为反型层。 上一页 下一页
加上正电压MOS电容的能带 (a)栅压UG较小时，MOS电容器处于耗尽状态。 (b)栅压UG增大到开启电压Uth时 ,半导体表面的费米能级 高于禁带中央能极, 半导体表面上的电子层称为反型层。 返 回 上一页 下一页