有信号电荷的势阱 当MOS电容器栅压大于开启电压Uc,周围电子迅速地 聚集到电极下的半导体表面处,形成对于电子的势阱。 金属 氧化物 电子 界面势 势阱 势阱:深耗尽条件下的表面势。 势阱填满:电子在半导体表面堆积后使平面势下降。 上一页 下一页
有信号电荷的势阱 ⚫ 当MOS电容器栅压大于开启电压UG，周围电子迅速地 聚集到电极下的半导体表面处，形成对于电子的势阱。 势阱：深耗尽条件下的表面势。 势阱填满：电子在半导体表面堆积后使平面势下降。 返 回 上一页 下一页
信号电荷转移 CCD的基本功能是存储与转移信息电荷 为实现信号电荷的转换: 1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密,以致相 邻MOS电容的势阱相互沟通,即相互耦合。 2、控制相邻MOS电容栅极电压高低来调节势阱深 浅,使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处 3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向 上一页 下一页
信号电荷转移 ⚫ CCD的基本功能是存储与转移信息电荷 ⚫ 为实现信号电荷的转换： 1、必须使MOS电容阵列的排列足够紧密，以致相 邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合。 2、控制相邻MOS电容栅极电压高低来调节势阱深 浅，使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处。 3、在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 返 回 上一页 下一页