第七章半导体存储器本章的重点：1.存储器的基本工作原理、分类和每种类型存储器的特点；2．扩展存储器容量的方法；3.用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法。因为存储器几乎都作成LSI器件，所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件。存储器内部的电路结构不是课程的重点。本章的难点：在本章的重点内容中基本没有难点
第七章 半导体存储器 本章的重点： 1．存储器的基本工作原理、分类和每种类型存储器的特 点； 2．扩展存储器容量的方法； 3．用存储器设计组合逻辑电路的原理和方法。 因为存储器几乎都作成LSI器件，所以这一章的重点内容 是如何正确使用这些器件。存储器内部的电路结构不是课程 的重点。 本章的难点： 在本章的重点内容中基本没有难点
第七章半导体存储器第一节概述存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。用途：在计算机或数字系统中存储数据
第七章 半导体存储器 第一节 概述 存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导 体器件。 用途：在计算机或数字系统中存储数据
分类：紫外线擦除掩模ROM只读存储器可编程ROM（PROM）ROM(ProgrammableUVEPROM(Read-OnlyROM)(Ultra-Violet)Memory)可擦除可编程ROM按功能EEPROM（EPROM）只能读出不能(Electrically)写入，断电不失(ErasablePROM)Flash随机存储器电可擦除MemoryRAM静态存储器SRAM快闪存储器(Random(StaticRAM)Access还可以按制造工艺动态存储器DRAMMemory)分为双极型和MOS(Dynamic型两种。主要指标：存储容量RAM取速度
分类： 掩模ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM （EPROM） 随机存储器 RAM 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 按 功 能 (Read- Only Memory) (Random Access Memory) (Programmable ROM) (Erasable PROM) UVEPROM EEPROM 只读存储器 ROM Flash Memory (Ultra-Violet) (Electrically) 电可擦除 紫外线擦除 (Static RAM) 快闪存储器 (Dynamic RAM) 只能读出不能 写入,断电不失 还可以按制造工艺 分为双极型和MOS 主要指标：存储容量、存取速度。 型两种
存取速度：用完成一次存取所需的时间表示。高速存储器的存取时间仅有10ns左右。第二节只读存储器ROM地址输入一、掩模只读存储器输出缓冲器地址译码器数据输出又称为固定ROM。工厂存储矩阵按用户要求生产出来后，用户不能改动。1.ROM的构成存储矩阵：由若于存储三态控制单元排列成矩阵形式。储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。输出缓冲器：增加带负载能力：同时提供三态控制，以便和系统的总线相连
第二节 只读存储器ROM 一、掩模只读存储器 又称为固定ROM。工厂 按用户要求生产出来后， 用户不能改动。 1.ROM的构成 存储矩阵：由若干存储 单元排列成矩阵形式。 储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。 输出缓冲器：增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和 系统的总线相连。 存取速度：用完成一次存取所需的时间表示。高速存储器 的存取时间仅有10ns左右
2.工作原理二一四线译码器按组合电路进行分析Voc存储矩阵是四个二极管或门当EN=0时,D, = D,。??地址译码器D3 = W,+W3 = A,A+A,Ao=Ao白区区D2= W,= A,+AoKXA1,A,的D,= D3 = AoK真值表与存白区四个最小储单元有一Do = W,+ W。 = A1项一对应关系W,WW,W。真值表：输出缓冲器D'国DAADDENK大D',存储矩阵1DzEN??DID1EN女D.0DEN大位线EN1字线
2.工作原理 按组合电路进行分析。 二－四线 译码器A1 ,A 0 的 四个最小 项 字线 存储矩阵是四个二极管或门； 当EN=0时，Di = Di 。 D1= D3 = A0 D0 = W1+ W0 = A1 真值表： 真值表与存 储单元有一 一对应关系 位线 D 0 D 1 D 2 D 3 A 0 A 1 D 3 = W 1+W 3 = A 1 A 0+A 1 A 0=A 0 D 2= W 1= A 1+A 0