W2W3WiWo用MOS工艺制造的ROM的存储FDVDDEN矩阵如图：HC二、可编程只读存F11DEN储器PROM一151.D产品出厂17dENHC时存的全是1，F1D用户可一次性ENNHr写入，即把某或非门些1改为0。但Vcc不能多次擦除。EN编程存储单元多采用熔丝一一低熔字线时Vcc点金属或多晶硅。写入时设法在和字熔丝熔丝上通入较大的电流将熔丝烧电断。位线
二、可编程只读存 储器PROM 用MOS工艺制 造的ROM的存储 矩阵如图： 或非门 产品出厂 时存的全是1， 用户可一次性 写入，即把某 些1改为0。但 不能多次擦除。 存储单元多采用熔丝－－低熔 点金属或多晶硅。写入时设法在 熔丝上通入较大的电流将熔丝烧 断。 编程 时VCC 和字 线电 压提 高
16字×8位的PROM-VcoWo十六条字线AA33d?地址译码器uoa8存A2-YI读出时，读出放::：:::！.Al-大器AR工作，写入储1放大器Aw不工作。Ao-Wii短11八条位线阵写入时，在位线输入编程脉冲使写Aw入放大器工作，且读/写输出低电平，同时放大器Al金?文相应的字线和Vcc提[YTTTY高到编程电平，将屯屯屯*对应的熔丝烧断。20Vi编程脉冲D1DDsDDD2DDo十几微秒缺点：不能重复擦除
16 字 × 8位的PROM 十六条字线八条位线 20V 十几微秒 编程脉冲 读出时，读出放 大器 A R工作，写入 放大器 AW不工作。 写入时，在位线 输入编程脉冲使写 入放大器工作，且 输出低电平，同时 相应的字线和 VCC 提 高到编程电平，将 对应的熔丝烧断。 缺点：不能重复擦除
浮置栅-DDSSiO2三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM)（一）紫外线擦除的只读存储器PxPx（UVEPROM）是最早出现的EPROM。通常说的SNEPROM就是指这种。VDD1.使用浮栅雪崩注入MOS管(Floating-gateAvalanche-lnjuctionMOS，简称FAMOS管。）写入：管子原来不导通。在漏源之间加上较字线高电压后（如-2OV），漏极PN结雪崩击穿，部分高速电子积累在浮栅上，使MOS管导通。T2浮栅上电荷可长期保存一一在125℃环FAMOS位境温度下，70%的电荷能保存10年以上。线T.擦除：用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。存储单元如图。缺点：需要两个MOS管；编程电压偏高：P沟道管的开关速度低
三、可擦除的可编程只读存储器 （EPROM） （一）紫外线擦除的只读存储器 （UVEPROM） 是最早出现的EPROM。通常说的 EPROM就是指这种。 1.使用浮栅雪崩注入MOS管 （Floating-gate Avalanche-Injuction MOS，简称FAMOS管。） 写入：管子原来不导通。在漏源之间加上较 高电压后（如-20V），漏极PN结雪崩击穿， 部分高速电子积累在浮栅上，使MOS管导通。 擦除：用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。 浮栅上电荷可长期保存－－在125℃环 境温度下，70%的电荷能保存10年以上。 存储单元如图。 缺点：需要两个MOS管；编程电压偏高；P沟道管的开关速 度低