3.V/特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 p=f(ups vc=const. 预夹断临界点轨迹 MAl Ups=vGS-I (eX vGD=vGs-UDS=IT) ①截止区 8可变电阻区A 当Us<V时,导电沟道尚 饱和区6v 6 B 未形成,i=0,为截止工 C 作状态。 =3V 截止区 10 20 HO配E
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 D DS GS const. ( ) = v v = i f ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚 未形成，iD＝0，为截止工 作状态
3.V/特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ip=f(o s ucs =const. 预夹断临界点轨迹 MAl Ups=vGS-I (eX vGD=vGs-UDS=IT) ②可变电阻区 8可变电阻区A S CUGS-V) 饱和区6v 6 B p=kn2(uGs -V)ups -UDS I C 由于U较小,可近似为 UGs=3V iD≈2Kn(vcs-Vr)ps E截止区 10 20 d ram1Dl数2K(svr)是一个受控制的可变电阻 DS HO配E
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 D DS GS const. ( ) = v v = i f ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） [ ( ) ] D n G S T DS DS 2 i = K 2 v −V v − v 由于vDS较小，可近似为 D n G S T DS i 2K (v −V ) v =常 数 = GS D DS dso v v di d r ( ) Kn GS −VT = 2 v 1 rdso是一个受vGS控制的可变电阻
3.V/特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ②可变电阻区 预夹断临界点轨迹 ip≈2Kn(vGs-Vr)ps MAl Ups=vGS-I (eX vGD=vGs-UDS=IT) 8可变电阻区A 2K,(UGS -VT) 饱和区6v 6 B 其中 C n L UGs=3V pn:反型层中电子迁移率 截止区 10 20 C:栅极(与衬底间)氧 化层单位面积电容 Kn=4nCx本征电导因子 Kn为电导常数,单位:mAV2 HO配E
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 D n G S T DS i 2K (v −V ) v ( ) n G S T dso K V r − = 2 v 1 n：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧 化层单位面积电容 Kn ' = n Cox 本征电导因子 = = • L W L K W K 2 2 n n ox n C 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2
3.V/特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ③饱和区 预夹断临界点轨迹 恒流区又称放大区) MAl Ups=vGS-I (eX vGD=vGs-UDS=IT) vGs>匠,且vs2(vGs-) 8可变电阻区A 饱和区6v vI特性: 6 B ip=K,UGS -VT) C KnVT OGS UGs=3V E截止区 GS DO 10 20 ⅠDo=KnⅥ是6s=2时的 HO配E
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS >VT ，且vDS≥（v GS－VT） 2 ( ) D Kn G S VT i = v − 2 2 ( 1) T GS = n T − V K V v 2 ( 1) T GS = DO − V I v 2 DO Kn VT I = 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性：
3.V/特性曲线及大信号特性方程 (2)转移特性 预夹断临界点轨迹 iD/mA t Ups=vGs-I(eX vGp=vGs -Ups=IT) GS/Ups=const. 8可变电阻区力A 7V 饱和区 s-1) 6 B 5V in/mA C 8 U 3V 截止区 20 DS UDc= 10V HO配E
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 D G S DS const. ( ) = v v = i f 2 ( 1) T GS D = DO − V i I v