512N沟道耗尽型 MOSFET 1.结构和工作原理(N沟道) B°掺杂后具有正d 离子的绝缘层二氧化硅 +十++十+44 衬底 耗尽层N型沟道 B B衬底引线 二氧化硅绝缘层中捨有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作,而且基本上无栅流 HO配E
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
512N沟道耗尽型 MOSFET 2.V特性曲线及大信号特性方程 ip/mA UpS - UGS 可变-饱和区 电阻区 4V 86420 2V UGS =OV DSS 2V -4V 截止区 3691215bsV GS D n=Imo(Gs-12(N沟道增强型 HO配E
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 2 (1 ) P G S D DSS V i I v − 2 ( 1) T GS D = DO − V i I v （N沟道增强型）
513P沟道 MOSFET d -O B B S S (b) (a)增强型电路符号(b)耗尽型电路符号 HO配E
5.1.3 P沟道MOSFET