5场效应管放大电路 51金属氧化物半导体(MOS)场效应管 52 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET 254砷化镓金属半导体场效应管 55各种放大器件电路性能比较 HO配E
5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路
场效应管的分类: N沟道 增强型 MOSFET P沟道 (GFET) FET 绝缘栅型 耗尽型「N沟道 场效应管 P沟道 JFET「N沟道 结型 (耗尽型) P沟道 耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在 增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 HO配E
P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类：
51金属氧化物半导体 (MoS)场效应管 511N沟道增强型 MOSFET 512N沟道耗尽型 MOSFET 513P沟道 MOSFET 514沟道长度调制效应 51.5 MOSFET的主要参数 HO配E
5.1 金属-氧化物-半导体 （MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应
51.1N沟道增强型 MOSFET 1.结构(N沟道)L:沟道长度W:沟道宽度tax:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体沟道栅极g二氧化硅绝缘层 (SiO,) 铝电极 L P型衬底 源极s 漏板d HO配E
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L
51.1N沟道增强型 MOSFET 1.结构(N沟道) 源极s栅极g漏极d 假sO2绝缘 衬底 耗尽层P型硅衬底 B B衬底引线 剖面图 符号 HO配E
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号