51.1N沟道增强型 MOSFET 2.工作原理 g (1)τes对沟道的控制作用 二氧化硅、 当乙Gs0时 无导电沟道,d、s间加电压时,也 无电流产生。 耗尽层 当0<vs<Ⅵ时 B衬底引线 产生电场,但未形成导电沟道(感生沟 道),d、s间加电压后,没有电流产生。 0 g 当乙Gs>Ⅵ时 在电场作用下产生导电沟道,d、s间加 电压后,将有电流产生 Gs越大,导电沟道越厚 耗尽层N型(感生)沟道 称为开启电压 B衬底引线 HO配E
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS >VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压
2.工作原理 (2)Us对沟道的控制作用 当乙Gs-定(Gs>匠)时, S s↑>↑→沟道电位梯度↑ g 迅速增大 →靠近漏极d处的电位升高 →电场强度减小→沟道变薄z441 + 整个沟道呈楔形分布 N型(感生)沟道 B衬底引线 HO配E
2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 →靠近漏极d处的电位升高 →电场强度减小 →沟道变薄 当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS→ID →沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布
2.工作原理 (2)Us对沟道的控制作用 DD 当乙Gs-定(Gs>匠)时, D GG 饱 5↑>↑→沟道电位梯度↑ g 和 当∽os增加到使vGp=Ⅵ时, 在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处:vG=0Gs-Ds 实断 B衬底引线 HO配E
当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS→ID →沟道电位梯度 当vDS增加到使vGD=VT 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT
2.工作原理 (2)Us对沟道的控制作用 DD 预夹断后,s个→夹断区延长 GG 饱 →>沟道电阻个→基本不变 g 和 i可变 电阻区一 饱和区 os≤as-r!vos=Ids-TrB N A|预夹断点as=> 实断 B衬底引线 截止区、vs<T ODs HO配E
预夹断后，vDS→夹断区延长 →沟道电阻 →ID基本不变 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用
2.工作原理 (3)和es同时作用时 DD 0s一定,vas变化时 D 饱 给定一个UGs,就有一条不同 g 和 的-s曲线。 功h 预夹断临界点轨迹 Ups=vGs-IN(eX vGD=UGs-UDs=Vr) 8可变电阻区!A 7V 饱和区6V 夹断区 P 6 5V B衬底引线 C 2 UGS=3V 截止区 15 HO配E
2. 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同 的 iD – vDS 曲线