3二极管及其基本电路 31半导体的基本知识 32PN结的形成及特性 33半导体二极管 34二极管基本电路及其分析方法 35特殊二极管 HOv配
3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性
31半导体的基本知识 31.1半导体材料 312半导体的共价键结构 31.3本征半导体 31.4杂质半导体 HOv配
3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体
31.1半导体材料 根据物体导电能力电阻率)的不同,来划分导 体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅S和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 HOv配
3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导 体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等
312半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 +4 大块晶体中 的局部结构 两个电子的共价键 4·4 +4)· 正离子芯 4·+4)··(+4 HOv配
3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
313本征半导体 本征半导体—化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单 晶体形态。 空穴共价键中的空位 由于热激发而产 电子空穴对—由热激发而 生的自由电子 a44. 8+4 产生的自由电子和空穴对 自由电子移动后 而留下的空穴 空穴的移动空穴的运动二 是靠相邻共价键中的价电子 依次充填空穴来实现的。 HOv配
3.1.3 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单 晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而 产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动 是靠相邻共价键中的价电子 依次充填空穴来实现的。 由于随机热振动致使共价键被打破而产生 空穴－电子对