2.静电放电 当物体带上静电荷后,静电电位是很高的,当达到 约2000V时,可以向空气放电,放电电流瞬间的值可以达 几安培以上。静电放电可使集成电路芯片介质击穿 线熔断,漏电电流增大,加速老化、电性能参数改变等。 静电放电对芯片损坏具有潜在性和缓慢失效性,这种危 害性更大
2.静电放电 当物体带上静电荷后，静电电位是很高的，当达到 约2000V时，可以向空气放电，放电电流瞬间的值可以达 几安培以上。静电放电可使集成电路芯片介质击穿，芯 线熔断，漏电电流增大，加速老化、电性能参数改变等。 静电放电对芯片损坏具有潜在性和缓慢失效性，这种危 害性更大
3.静电感应 当物体置于静电场中,静电感应电位可达数千伏以上, 这样高的静电电压不但具有静电放电的危险性,而其感应 放电产生的宽频带干扰可对计算机和低电平数字电路发生 翻转效应或导致仪器(表)运行失常
3.静电感应 当物体置于静电场中，静电感应电位可达数千伏以上， 这样高的静电电压不但具有静电放电的危险性，而其感应 放电产生的宽频带干扰可对计算机和低电平数字电路发生 翻转效应或导致仪器(表)运行失常
三、静电危害的特点 静电对电子产品损害有以下几个特点 隐蔽性 人体不能直接感知静电,除非发生静电放电,但是 发生静电放电人体也不一定能有电击的感觉,这是因为人 体感知的静电放电电压为2~3kV,所以静电具有隐蔽性。 2.潜在性 有些电子元器件受到静电损伤后的性能没有明显的 下降,但多次累加放电会给器件造成内伤而形成隐患。因 此静电对器件的损伤具有潜在性
三、静电危害的特点 静电对电子产品损害有以下几个特点： 1.隐蔽性 人体不能直接感知静电，除非发生静电放电，但是 发生静电放电人体也不一定能有电击的感觉，这是因为人 体感知的静电放电电压为2～3kV，所以静电具有隐蔽性。 2.潜在性 有些电子元器件受到静电损伤后的性能没有明显的 下降，但多次累加放电会给器件造成内伤而形成隐患。因 此静电对器件的损伤具有潜在性
3.随机性 电子组件什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么 说,从一个组件产生以后,一直到它损坏以前,所有的 过程都受到静电的威胁,而这些静电的产生也具有随机 性,其损坏也具有随机性 4.复杂性 静电放电损伤的失效分析工作,因电子产品的精、 细、微小的结构特点而费时、费事、费钱,要求较高的 技术并往往需要使用扫描电镜等髙精密仪器。即使如此, 有些静电损伤现象也难以与其他原因造成的损伤加以区 别,使人误把静电损伤失效当作其他失效
3.随机性 电子组件什么情况下会遭受静电破坏呢？可以这么 说，从一个组件产生以后，一直到它损坏以前，所有的 过程都受到静电的威胁，而这些静电的产生也具有随机 性，其损坏也具有随机性。 4.复杂性 静电放电损伤的失效分析工作，因电子产品的精、 细、微小的结构特点而费时、费事、费钱，要求较高的 技术并往往需要使用扫描电镜等高精密仪器。即使如此， 有些静电损伤现象也难以与其他原因造成的损伤加以区 别，使人误把静电损伤失效当作其他失效
四、静电放电敏感器件 静电放电敏感器件(简称ESDS器件或SSD器件),是在 日常操作、试验和运输中容易遭受静电场或静电放电所 损害的分立器件、集成电路或组件,SSD器件可以被几十 伏的静电损坏。常见的SSD器件有:微波器件(肖特基势 垒二极管、点接触二极管和其他工作频率大于1GHz的检 波二极管)、离散型M0S场效应晶体管、声表面波(SAW)器 件、结型场效应晶体管、电荷耦合器件(C∽DS)、精密稳 压二极管、运算放大器、薄膜电阻器、集成电路、使用1 级元器件的混合电路、超高速集成电路
四、静电放电敏感器件 静电放电敏感器件(简称ESDS器件或SSD器件)，是在 日常操作、试验和运输中容易遭受静电场或静电放电所 损害的分立器件、集成电路或组件，SSD器件可以被几十 伏的静电损坏。常见的SSD器件有：微波器件(肖特基势 垒二极管、点接触二极管和其他工作频率大于1GHz的检 波二极管)、离散型MOS场效应晶体管、声表面波(SAW)器 件、结型场效应晶体管、电荷耦合器件(CCDS)、精密稳 压二极管、运算放大器、薄膜电阻器、集成电路、使用1 级元器件的混合电路、超高速集成电路