复旦大学电子工程系陈光梦 CMOS场效应管的结构 互补型金属-氧化物一半导体 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor P沟道MOSFET N沟道MOSFET B S G D D G S B 沟道P N 沟道N N型隔离岛 P型衬底 //// 13-12-16 模拟电子学基础 6
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 6 CMOS场效应管的结构 n 互补型金属－氧化物－半导体 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor N型隔离岛 P 沟道 P S G D N 沟道 N P型衬底 P沟道MOSFET N沟道MOSFET B D G S B
复旦大学电子工程系陈光梦 集成电路的特点 良好的对称性和较大的绝对误差 口元件之间的性能比较一致 口环境温度一致，同类器件的温度一致性很好 口元件的绝对误差比分立元件电路大许多 口在集成电路设计中，尽量利用元件的对称性进行设计，例如使用 电流源、差分放大器等 ·大量采用有源器件 口制造电阻、电容和电感需要占据一定的面积，且在一般情况下数 值越大占用的面积越大，同时误差较大，质量不高 口采用晶体管等有源器件替代电阻电容等无源器件 13-12-16 模拟电子学基础 7
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 7 集成电路的特点 n 良好的对称性和较大的绝对误差 ¨ 元件之间的性能比较一致 q 环境温度一致，同类器件的温度一致性很好 q 元件的绝对误差比分立元件电路大许多 q 在集成电路设计中，尽量利用元件的对称性进行设计，例如使用 电流源、差分放大器等 n 大量采用有源器件 q 制造电阻、电容和电感需要占据一定的面积，且在一般情况下数 值越大占用的面积越大，同时误差较大，质量不高 q 采用晶体管等有源器件替代电阻电容等无源器件
复旦大学电子工程系陈光梦 电流源与有源负载 基本电流源电路 电流源电路的改进 有源负载放大电路 13-12-16 模拟电子学基础 8
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 8 电流源与有源负载 基本电流源电路 电流源电路的改进 有源负载放大电路
复旦大学电子工程系陈光梦 基本电流源电路 0 由二个电阻和两个晶体管组成，图中I,是参考 电流，1。是输出电流。 DD T T> FET电路 BJT电路 13-12-16 模拟电子学基础 9
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 9 基本电流源电路 n 由一个电阻和两个晶体管组成，图中Iref是参考 电流，IO是输出电流。 n VDD I ref I O T1 T2 R VCC I ref I O T1 T2 R O ref I I = FET电路 BJT电路
复旦大学电子工程系陈光梦 多路FET电流源 ·FET的漏极电流与栅极宽长比成正比，改变 栅极宽长比获得不同比例的输出电流 DD 门 4/1 03 06 3 10/1 13-12-16 模拟电子学基础 10
复旦大学电子工程系 陈光梦 13-12-16 模拟电子学基础 10 多路FET电流源 n FET的漏极电流与栅极宽长比成正比，改变 栅极宽长比获得不同比例的输出电流 Iref IO 2 T1 T2 T3 T6 T5 T4 IO6 IO5 VDD 2/1 2/1 10/1 4/1 4/1 10/1 O3 I