综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：）发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。HOME
综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反 向偏置
4.1.3BJT的V-特性曲线1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）iB=f(UBE) /UCE=const(1）当cE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2）当cE≥1V时，UcB=UcE=UBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的UBE下I减小，特性曲线右移。iB/μAic0+O0OiBO+TUCEbeUBE-000.20.40.60.8UBE/V共射极连接HOME
iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接
4.1.3BJT的V-I特性曲线2.输出特性曲线饱和区iB=100μAic/mA4-ic=f(VcE)/放80uAiB=const3+60μA输出特性曲线的三个区域2大40uA饱和区：ic明显受UcE控制的区域，20μA该区域内，一般UcE<0.7V(硅管)。-区此时，发射结正偏，集电结正偏或反011偏电压很小。036912 UCE/V截止区截止区：接近零的区域，相当-0放大区：平行于轴的区域，曲的曲线的下方。此时，能小于死区线基本平行等距。此时，发射结正偏电压。集电结反偏HOME
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。 iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0 的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲 线基本平行等距。此时，发射结正偏， 集电结反偏
4.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数（1）共发射极直流电流放大系数β=（IC-IcEO/IBIC/IBUcE=ConSt(2)共发射极交流电流放大系数ββ=NIc/BB/UcE=constLC0β与ic的关系曲线HOME
与iC的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
4.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数（3）共基极直流电流放大系数=（Ic—IcBo）/IIc/I4）共基极交流电流放大系数aa=Nc/EUCB=Const~β,可当IcBO和IcEO很小时2以不加区分。HOME