第三章逻辑门电路 主要内容 1.基本门电路 2TTL集成门电路 3.MOS集成门电路
第三章 逻辑门电路 主要内容 ⒈ 基本门电路 ⒉ TTL集成门电路 ⒊ MOS集成门电路
§1逻辑门电路 门:其有开关作闭。 门电路:具有控制信号通过或不话过能力的电路。 一、器件的开关作用 体现开关作用→静态特性 开关特性 转换过程→动态特性 Z=0→短路、相当开关闭合 理想开关特性 Z=0→断路、相当开关断开
§1 逻辑门电路 门：具有开关作用。 门电路：具有控制信号通过或不通过能力的电路。 一、器件的开关作用 开关特性 体现开关作用→静态特性 转换过程→动态特性 理想开关特性 Z＝0 →短路、相当开关闭合 Z＝∞ →断路、相当开关断开
二、半导体二极管的开关特性 1开关作用 D正偏→导通→U很小→电路导通+ UD≈07V,硅管 D R UD≈0.3V,锗管 注:讲课如不特殊说明均以磁管为例 D反偏→截止→UD很大→电路断开
二、半导体二极管的开关特性 D R UD Vi + － ⒈开关作用 D正偏→导通→UD很小→电路导通 UD ≈0.7V,硅管 UD ≈0.3V,锗管 D反偏→截止→UD很大→电路断开 注:讲课如不特殊说明,均以硅管为例
2动态特性 b 反向恢复过程: R D正偏时,PN结电阻较小。加上反 压后,形成较大的I2;尔后,随着结 电阻的增加,反向电流逐渐减小, t 直至漏电流/s。 2 反向恢复时间t2 D 电流由I2≈02→0.2,所需的时间。 101n R t 说明:(1)转换时间:截止→导通较小 导通→截止较大 re 故D的开关时间以t来衡量 (2)V的最高频率以10tn来歌值
⒉动态特性 D正偏时，PN结电阻较小。加上反 压后，形成较大的I2；尔后，随着结 电阻的增加，反向电流逐渐减小， 直至漏电流Is。 D R UD Vi + － Vi t V1 V2 I D t 1 I 2 I re t 2 0.1I Is 反向恢复过程: 反向恢复时间t re 说明:⑴转换时间：截止→导通较小 导通→截止较大 故D的开关时间以t re来衡量。 ⑵Vi的最高频率以10 t re来取值。 电流由 0.1I ,所需的时间。 R V I 2 2 2 →
三、半导体三极管的开关特性 Vcc=5V 开关作用 1k 截止反偏反偏,4=1=0,开关断开。10K1B=30 放大正偏反偏,=βb,线性放大。 饱和正偏正偏,ib>b5,开关闭合。 ces b lbs =0.7 BR ces BRC
三、半导体三极管的开关特性 ⒈开关作用 10K Vcc=5V 1k Vo β =30 Vi T 截止 饱和 放大 Vbe Vbc 反偏 反偏， ib ＝i c ＝0，开关断开。 正偏 反偏， ic ＝ βib， 线性放大。 正偏 正偏， ib >Ibs ， 开关闭合。 V V R R V i I ces C cc C cc ces b b s , 0.7 V V = − =