版权©2014，版权保留，侵犯必究 MOST的衬底电阻RB Vs p+ n+ n+ h b p-substrate Ref.:Chang,Kluwer 1991 复旦大学射频集成电路设计研究小组 -1217- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -1217- n+ b p+ Wi VG VB VS VD Rbl Rbv h n+ p-substrate MOST的衬底电阻RB Ref.: Chang, Kluwer 1991
版权©2014，版权保留，侵犯必究 衬底电阻产生的噪声 2 RG + VinG Vbs VinB=0 9mVgs 9mb Vbs ros dWa RG /X dnae 4kT(Reit)df Vin ro R 23+R。+R(n- n-1=Co/Cox =9mblgm 复旦大学射频集成电路设计研究小组 -1218- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -1218- rDS vbs gmbvbs RG gmvgs vinG vgs RB vinB=0 2 d rG v 2 d rB v 衬底电阻产生的噪声 RG rDS gmvgs vin vgs 2 d ieq v 2 ieq eff 2 eff G B m D ox mb m d 4k ( )d 2 3 ( 1) 1/ / v TR f R R Rn g n CC g g = = ++ − −= =
版权©2014，版权保留，侵犯必究 源极电阻产生的噪声 Rs的噪声<=>Rg的噪声 RG 十 W一+8 ros 9mVgs Vin Rs dvg=4kT(Ret)df 23+R。+R。+R,- 9 复旦大学射频集成电路设计研究小组 -1219- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -1219- RG rDS gmvgs vgs vin 2 d ieq v RS 源极电阻产生的噪声 RS的噪声<=> RG的噪声 2 d 4k ( )d ieq eff v TR f = 2 eff S G B m 2 3 R R R Rn( 1) g = +++ −
版权©2014，版权保留，侵犯必究 源极电阻Rs产生的噪声 9m 1+gmRs d眠=4kTg.fa di (1+9mRs)2 df c di昭 R Rs G4KTRstg. 2/3 -+)df 眠张限(， +1)df 23 +Rs 9m 复旦大学射频集成电路设计研究小组 -1220- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -1220- 源极电阻RS产生的噪声 m m 1 m S g G g R = + 2 M m 2 d 4k d 3 i Tgf = 2 2 M outM 2 m S d d (1 ) i i g R = + 2 R 4k d d T i f R = 2 2 2 m S outR R m S d d 1 g R i i g R = + 2 2 out m S m S 2 3 d 4k ( 1)d i G TR f g R = + 2 ieq S m S 2 3 d 4k ( 1)d v TR f g R = + eff S m 2 3 R R g = + vIN iOUT RS 2 d M i 2 d R i 2 d out i
版权©2014，版权保留，侵犯必究 MOST:等效输入噪声一练习 RG 十 Vin ros Vout gmVgs dv4kT(2/3)df gm 当Ves-VF0.2V,lbs=65μA时，求dVg 复旦大学射频集成电路设计研究小组 -1221- 唐长文
复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -1221- 当 VGS-VT=0.2 V，IDS=65 μA时，求 RG rDS gmvgs vin vgs vout 2 d ieq v MOST：等效输入噪声—练习 2 ieq m 2/3 d 4k ( )d vTf g ≈ 2 d ieq v