3半导体二极管 及其基本电路 31半导体的基本知识 32PN结的形成及特性 33半导体二极管 34二极管基本电路及其分析方法 3.5特殊二极管
3 半导体二极管 及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性
31半导体的基本知识 311半导体材料 32半导体的共价键结构 313本征半导体 +4 3.14杂质半导体 半导体导电特性介于导体和绝缘体之间 典型的半导体有硅和锗Gl以及砷化镓GaAs等。 导电的1、其能力容易受环境因素影响 重要特点 (温度、光照等) 2、掺杂可以显著提高导电能力
2 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 半导体:导电特性介于导体和绝缘体之间 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电的 重要特点 1、其能力容易受环境因素影响 （温度、光照等） 2、掺杂可以显著提高导电能力 +4
312半导体的共价键结构 两个价电子的 共价键 +4 +4 +4 原子结构二 。。正离子核 简化模型 313本征半导体完全纯净、结构完整的半导体晶体。 在T=0K和无外界激发时,没有载流子,不导电
3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 3.1.2 半导体的共价键结构 原子结构 简化模型 3.1.3 本征半导体 — 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 在T=0K和无外界激发时，没有载流子，不导电 两个价电子的 共价键 正离子核
313本征半导体、空穴及其导电作用 自由电子 温度↑光照 +4 空六 本征激发 由热激发或光照而产生 自由电子和空穴对。 +4 空穴 —共价键中的空位 +4)o(+40 4 空穴的移动空穴的运 动是靠相邻共价键中的价电 子依次充填空穴来实现的。 温度↑→载流子浓度↑
4 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 温度 光照 自由电子 空穴 本征激发 空穴 ——共价键中的空位 空穴的移动——空穴的运 动是靠相邻共价键中的价电 子依次充填空穴来实现的。 由热激发或光照而产生 自由电子和空穴对。 温度 → 载流子浓度 ＋
●:●:.● ::9: ●:●:: 空穴的移动一空穴的运动是靠相邻共价键中的 价电子依次充填空穴来实现的 半导体导电特点1:其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力个
5 空穴的移动 — 空穴的运动是靠相邻共价键中的 价电子依次充填空穴来实现的 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑