正电子技术的优越性 对缺陷及原子尺度的微结构变化极为灵敏； 无损探测； 可探测真实表面 (几个原子层)的物理化学信 息； 探测物体内部局域电子密度及动量分布； 正电子是电子的反粒子，容易与电子分辨，又可形 成电子偶素； 慢正电子技术具有能量可调性，因而可获得缺陷 或结构不均匀性沿样品深度的分布
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I.晶体的缺陷
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“完美”晶体其晶格排列 周期性. “好”的晶体偏离完美晶 体很少，例如单晶硅可以在 mm量级无瑕疵： 同时，半导体工业， 缺陷是非常重要的. 缺陷可以给出一些新 的特性，而这些特性 又是非常重要的
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非晶原子结构
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晶体的取向 Crystals are characterized by a unit cell which repeats in the x,y,z directions. (100)plane (110)plane 111川 [110 (111)plane I1001
ԧⱘপ Crystals are characterized by a unit cell which repeats in the x, y, z directions