1.晶体膜电极（氟电极) 结构：右图 Ag-AgCI 内参比 敏感膜：（氟化镧单晶） 电极 掺有EuF2的LaF3单晶切片； 氣离子选择 F、CT 内参比 溶液 内参比电极：Ag-AgCI电极（管内）。 电极 氟化钢 单晶膜 内参比溶液：0.1moL的NaC1和0.10.01mol/L的NaF混 合溶液(F用来控制膜内表面的电位，C用以固定内参比 电极的电位)。 23:09:34
23:09:34 1.晶体膜电极（氟电极） 结构：右图 敏感膜：(氟化镧单晶) 掺有EuF2 的LaF3单晶切片； 内参比电极：Ag-AgCl电极(管内)。 内参比溶液：0.1mol/L的NaCl和0.10.01mol/L的NaF混 合溶液（F -用来控制膜内表面的电位，Cl-用以固定内参比 电极的电位）
原理： LaF3的晶格中有空穴，在晶格上的 F可以移入晶格邻近的空穴而导电。对 氟 离 Ag-AgCI 于一定的晶体膜，离子的大小、形状和 内参比 子 电极 电荷决定其是否能够进入晶体膜内，故 选 膜电极一般都具有较高的离子选择性。 择 F、CI 当氟电极插入到F溶液中时，F在 膜电 内参比 溶液 晶体膜表面进行交换。25℃时： 氟化钢 单晶膜 E膿=K-0.059lg4r=K+0.059pF 具有较高的选择性，需要在pH5~7之间使用，pH高时， 溶液中的OⅢ与氟化澜晶体膜中的F交换，pH较低时，溶液 中的F生成HF或HF2ˉ。 23:09:34
23:09:34 原理: LaF3的晶格中有空穴，在晶格上的 F -可以移入晶格邻近的空穴而导电。对 于一定的晶体膜，离子的大小、形状和 电荷决定其是否能够进入晶体膜内，故 膜电极一般都具有较高的离子选择性。 当氟电极插入到F -溶液中时，F -在 晶体膜表面进行交换。25℃时： E膜 = K - 0.059 lgaF -= K + 0.059 pF 具有较高的选择性，需要在pH5～7之间使用，pH高时， 溶液中的OH-与氟化镧晶体膜中的F -交换，pH较低时，溶液 中的F -生成HF或HF2 -
导线 2.玻璃膜（非晶体膜）电极 绝缘帽 非晶体膜电极，玻璃膜的组成不同可 玻 制成对不同阳离子响应的玻璃电极。 璃 玻璃电极杆 H响应的玻璃膜电极：敏感膜厚度 Ag-AgC1电极 约为0.05mm。 电极 内充液 SiO2基质中加入Na20、Li20和Ca0烧 玻璃膜 结而成的特殊玻璃膜。 水浸泡后，表面的Na+与水中的 H+交换，表面形成水合硅胶层。 玻璃电极使用前，必须在水溶液 0 H+GIH'GI 中浸泡。 HG=H+G- 23:09:34
23:09:34 2.玻璃膜（非晶体膜）电极 非晶体膜电极，玻璃膜的组成不同可 制成对不同阳离子响应的玻璃电极。 H+响应的玻璃膜电极：敏感膜厚度 约为0.05mm。 SiO2基质中加入Na2O、Li2O和CaO烧 结而成的特殊玻璃膜。 水浸泡后，表面的Na+与水中的 H+交换， 表面形成水合硅胶层。 玻璃电极使用前，必须在水溶液 中浸泡
导线 玻璃膜电极 绝缘帽 膜 溶液 玻璃膜电极 玻璃电极杆 Ag-AgC1电极 内充液 玻璃膜 ●S 00 界面 ONa' H*+GI-H'GI H' H+G1-H++G引 23:09:34
23:09:34 玻璃膜电极
玻璃膜电位的形成 玻璃电极使用前，必须在水溶液中浸泡，生成三层结 构，即中间的干玻璃层和两边的水化硅胶层： 内部缓冲溶液 内水合硅胶层 干玻璃层 外水合硅胶层 外部试液 22 0.0110从m 80100从m 0.0110um 21 H+ Na H E内 E 膜 水化硅胶层厚度：0.01~10m。在水化层， 玻璃上的 Na+与溶液中H+发生离子交换而产生相界电位。 水化层表面可视作阳离子交换剂。溶液中H+经水化层扩 散至干玻璃层，干玻璃层的阳离子向外扩散以补偿溶出的离 子，离子的相对移动产生扩散电位。两者之和构成膜电位。 23:09:34
23:09:34 玻璃膜电位的形成 玻璃电极使用前，必须在水溶液中浸泡，生成三层结 构，即中间的干玻璃层和两边的水化硅胶层： 水化硅胶层厚度：0.01～10 μm。在水化层，玻璃上的 Na+与溶液中H+发生离子交换而产生相界电位。 水化层表面可视作阳离子交换剂。溶液中H+经水化层扩 散至干玻璃层，干玻璃层的阳离子向外扩散以补偿溶出的离 子，离子的相对移动产生扩散电位。 两者之和构成膜电位