综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。(2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置
综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓 度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置
4.1.3BJT的V-I特性曲线1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）iB=f(UBE) |UcE=const(1)当UcE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2)随ce的增加，曲线右移。等于1V时集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的VBE下IB减小，特性曲线右移。(3当UcE≥1V时，特性曲线基本重合。集电结的电场足够强，已收集绝大部分电子，故随VcE，IB电流无明显变化。iciB/uA10=300iBC1UCEbeUBE10共射极连接00.20.40.60.8UBE/V
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const (3) 当vCE≥1V时， 特性曲线基本重合。集电结的电场足够强，已收集绝 大部分电子，故随VCE，IB电流无明显变化。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接 (2) 随vCE的增加，曲线右移。 等于1V时集电结已进入反偏状态，开始 收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移
2.输出特性曲线饱和区iB=100uAic/mA480uA放ic=f(VcE) li=const3-60μA输出特性曲线的三个区域：2-大40uA饱和区：ic明显受UcE控制的区域20uA1该区域内，一般UcE<0.7V(硅管)。区0发射结正偏，集电结正偏或反偏036912 VcE/V电压很小。截止区放大区：ic平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距：随VCE增加，曲线略向上倾斜。发射结正偏，集电结反偏。截止区：ic接近零的区域，相当ip=0的曲线的下方。此时，UBE小于死区电压。发射结反偏，集电结反偏
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 发射结正偏，集电结正偏或反偏 电压很小。 iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于 死区电压。发射结反偏，集电结反偏。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距；随VCE增加， 曲线略向上倾斜。发射结正偏，集电结反偏
4.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数β(1）共发射极直流电流放大系数β = (Ic-Iceo） Ilg=lc / Igl ocE=constic0B与ic的关系曲线(2）共发射极交流电流放大系数ββ=c/g| cE=const
(1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const 1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数 与iC的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE =const
例已知图示输入特性曲线。求：β和β解：VcE=6 V时Ic(mA )Q1点Is=40μA,Ic=1.5mA;100μAQ2 点I=60 μA, Ic=2.3mA。380μAQ260μA在Q点，有2iQ,40μAβ=f:=-0o4-20uA:37.5IB=01309612由Q和Q2点，得VcE(V)△I.2.3-1.540B△I.0.06-0.04在以后的计算中，一般作近似处理：β=β
37 5 0 04 1 5 B C . . . I I 40 0 06 0 04 2 3 1 5 B C . . . . I I Δ Δ 解：VCE= 6 V时 Q1点IB=40A, IC=1.5mA; Q2点IB=60 A, IC=2.3mA。 已知图示输入特性曲线 。求： 和 在以后的计算中，一般作近似处理： — ≈