第五章场效应管放大电路重点：1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线；2.学会判断场效应管的工作状态3.掌握场效应管放大电路的分析方法
第五章 场效应管放大电路 重点： 1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线； 2.学会判断场效应管的工作状态； 3.掌握场效应管放大电路的分析方法
场效应管（FieldEffectTransistor，简称FET)BJT(三极管)是一种电流控制元件(ip～ic）。工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以能耗大，温度特性差。FET是一种电压控制器件(vGs～ip）。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它能耗小，输入电阻高，且温度稳定性好。N沟道增强型P沟道绝缘栅场效应管『N沟道耗尽型FET分类：LP沟道结型场效应管『N沟道LP沟道
FET分类: 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管(Field Effect Transistor，简称FET) BJT(三极管)是一种电流控制元件(iB~ iC)。工 作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所 以能耗大，温度特性差。 FET是一种电压控制器件(vGS~ iD)。它的输出 电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号 源提供电流，所以它能耗小，输入电阻高，且温 度稳定性好
5. 1(MOS)金属一氧化物一半导体场效应管5.1.1N沟道增强型MOSFET．结构（N沟道）一源极s栅极g漏极ddo铝铝铝isio,绝缘层衬底0N+NODB耗尽层P型硅衬底sd。B衬底引线符号
符号 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 一. 结构（N沟道）
二．工作原理ip=0S（1）VGs对沟道的控制作用铝ol二氧化硅、1）当vGs≤0时NN无导电沟道，d、s间加电压时，耗尽层也无电流产生。PB衬底引线2）当0<UGs<V时产生电场，但未形成导电沟道（感生VGGs沟道），d、s间加电压后，没有电流产生R9d3）当Ucs>时在电场作用下产生导电沟道，d、sN间加电压后，将有电流产生。耗尽层N型(感生)沟道PUGs越大，导电沟道越厚B衬底引线V称为开启电压
二. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 1）当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时， 也无电流产生。 2）当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生 沟道），d、s间加电压后，没有电流产生 。 3）当vGS >VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s 间加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚
VDD·D迅速增大（2）Ups对沟道的控制作用VGGS1）当Us一定（Us >）时,gdUps个→I,个→沟道电位梯度个YA→>靠近漏极d处的电位升高TN→电场强度减小→沟道变薄N型(感生)沟道P整个沟道呈楔形分布oB衬底引线
（2）vDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 1）当vGS一定（vGS >VT ）时， vDSID 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布