0.020.030.040.050.060.070.030.090.10- A/nm 图2-15特征X射线谱及管电压对特征谱的影响 钼钯系1-20kV2-25kV3-35kV
11 图2-15 特征X射线谱及管电压对特征谱的影响 钼钯K系1-20kV 2-25kV 3-35kV
承特征X射线的产生遵从光谱选律. 承 特征X射线也有多重线系，如图2-16所示之K1 与K2为K的双重线，分别由L,及L3层电子向K 层跃迁而产生. 图2-16射线的双重线和1与▣2（钼靶） 0.070 0.071 0.072 入/nm
12 ж 特征X射线的产生遵从光谱选律． ж 特征X射线也有多重线系，如图2-16所示之Kα1 与Kα2为Kα的双重线，分别由L2及L3层电子向K 层跃迁而产生． 图2-16 K 射线的双重线K 1与K 2(钼靶)
二、X射线与物质的相互作用 散射X射线非相干的 1相干的 「反冲电子 康普领效应 电子能歌电子 :收效应 光电子 人射X射线 荧光X射线光电袋应 强度。 透射X射线I=Ie“ 热能 X射线与固体物质的相互作用 13
13 二、X射线与物质的相互作用 X射线与固体物质的相互作用
X射线作用形式与相应的分析技术 +光电效应产生光电子-X射线光电子能谱 +退激发过程产生俄歇电子或X射线荧光辐射 则是X射线激发俄歇能谱分析方法和X射线荧 光分析方法的技术基础。X射线荧光辐射因入射 (一次光子)照射样品所致（即光致发光），故又称 二次特征辐射. +入射X射线可使样品产生相干散射和非相干 散射.相干散射是X射线衍射分析方法的技 术基础. +X射线照射（气态）自由原子，原子内层电子 吸收辐射向高能级跃迁是X射线吸收光谱分 析方法的技术基础
14 X射线作用形式与相应的分析技术 光电效应产生光电子-X射线光电子能谱 退激发过程产生俄歇电子或X射线荧光辐射 则是X射线激发俄歇能谱分析方法和X射线荧 光分析方法的技术基础。X射线荧光辐射因入射 （一次光子）照射样品所致(即光致发光)，故又称 二次特征辐射． 入射X射线可使样品产生相干散射和非相干 散射．相干散射是X射线衍射分析方法的技 术基础． X射线照射(气态)自由原子，原子内层电子 吸收辐射向高能级跃迁是X射线吸收光谱分 析方法的技术基础．
X射线与物质的相互作用形式 当入射X射线光子能量达到某一阈值可击出物质原 子内层电子时，产生光电效应.与此能量阈值相 应的波长称为物质的吸收限. 。以击出原子K层电子为例，X射线光子能量用于 克服原子对K层电子的束缚而作功(WK),有 hc c =WR hc 入KK吸收限，使原子K层电子击出的阈值波长
15 X射线与物质的相互作用形式 当入射X射线光子能量达到某一阈值可击出物质原 子内层电子时，产生光电效应．与此能量阈值相 应的波长称为物质的吸收限． 以击出原子K层电子为例，X射线光子能量用于 克服原子对K层电子的束缚而作功(WK)，有 λK-K吸收限，使原子K层电子击出的阈值波长