B JfE L 图41霍尔效应原理图
图4.1 霍尔效应原理图 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ L I UH d 0 v f E f L b B － － － － － － －
物理现象观察 霍尔效应 0000990 E
物理现象观察 霍尔效应
B b ④ b E N 霍尔元件结构 霍尔效应原理 Hz-1 图形符号 外形 霍尔元件
■4.13磁阻效应 将一载流导体置于外磁场中除了产生霍尔效应外,其电 阻也会随磁场而变化。这种现象称为磁电阻效应简称 磁阻效应。磁阻效应是伴随霍尔效应同时发生的一种 物理效应。当温度恒定时,在弱磁场范围内,磁阻与磁感 应强度B的平方成正比。对于只有电子参与导电的最简 单的情况,理论推出磁阻效应的表达式为 pB=0(1+0.2732B2) 式中:B—磁感应强度; μ—电子迁移率; p—零磁场下的电阻率; pB—磁感应强度为B时的电阻率
◼ 4.1.3 ◼ 将一载流导体置于外磁场中,除了产生霍尔效应外,其电 阻也会随磁场而变化。这种现象称为磁电阻效应,简称 磁阻效应。磁阻效应是伴随霍尔效应同时发生的一种 物理效应。当温度恒定时,在弱磁场范围内,磁阻与磁感 应强度B的平方成正比。对于只有电子参与导电的最简 单的情况,理论推出磁阻效应的表达式为 ◼ ρB=ρ0 (1+0.273 μ 2B2 ) ◼ 式中：B—— ◼ μ—— ◼ ρ0—— ◼ ρB——磁感应强度为B时的电阻率
设电阻率的变化为△p=pgp,则电阻率的 相对变化为 =02732B2=k(B)2 由上式可见,磁场一定迁移率高的材料磁 阻效应明显 inSb和InAs等半导体的载流子迁移率都 很高,很适合制作各种磁敏电阻元件
◼ 设电阻率的变化为Δρ=ρB -ρ0 ,则电阻率的 相对变化为 ◼ ◼ 由上式可见,磁场一定,迁移率高的材料磁 阻效应明显。 ◼ InSb和InAs等半导体的载流子迁移率都 很高,很适合制作各种磁敏电阻元件。 2 2 2 0 0.273 B k(B) = =