4.电路中的元件保护 图1.15二极管保护电路
4. 电路中的元件保护 S VD eL L R E i 图1.15 二极管保护电路
第2章半导体三极管及其放大电路 本章重点内容 晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线 基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式 利用估算法求静态工作点 微变等效电路及其分析方法 三种基本放大电路的性能、特点 2.1半导体三极管 2.1.1三极管的结构及分类 .三极管的内部结构及其在电路中的符号
本章重点内容 l 晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线 l 基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式 l 利用估算法求静态工作点 l 微变等效电路及其分析方法 l 三种基本放大电路的性能、特点 2.1 半导体三极管 2.1.1 三极管的结构及分类 1．三极管的内部结构及其在电路中的符号 第2章 半导体三极管及其放大电路
集电极 集电极 集电结 集电区 基极b 基极b 8” b CAO 发射区 射极e 发射极e (a)NPN (b)PNP 图21三极管的结构示意图及其在电路中的符号 2.三极管的分类 2.1.2三极管的放大作用 三极管放大时必须的内部条件
(a) NPN (b) PNP 图2.1 三极管的结构示意图及其在电路中的符号 基极b b c e c e b 集电区 发射区 发射结 集电结 基极b c c b e e b 基区 发射极e 集电极c N P N 发射极e 集电极c P N P 2．三极管的分类 2.1.2 三极管的放大作用 1．三极管放大时必须的内部条件
2.三极管放大时必须的外部条件 3.三极管内部载流子的传输过程 (1)发射区向基区发射电子的过程 (2)电子在基区的扩散和复合过程 (3)电子被集电区收集的过程 lb b 图22三极管内部载流子的 运动情况
2．三极管放大时必须的外部条件 3．三极管内部载流子的传输过程 图2.2 三极管内部载流子的 运动情况 － + － + RC c b e IC IE IB VCc VBB RB ICBO ICN IBN N P N （3）电子被集电区收集的过程 （1）发射区向基区发射电子的过程 （2）电子在基区的扩散和复合过程
4.三极管电流放大作用的进一步理解 表21/B、l、l的实验数据 lb/ mA -0.004 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 I /mA 0.004 0.01 1.09 1.98 307 4.06 5.05 I/mA 0.01 1.10 2.00 3.10 4.10 5.10 2.1.3三极管的特性曲线 .输入特性曲线 iyu A ic/mA 100uA 100 5℃ 大 b=ouA 截止区 图23三极管的特性曲线
4．三极管电流放大作用的进一步理解 表2.1 IB、IC、IE的实验数据 IB /mA -0.004 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC /mA 0.004 0.01 1.09 1.98 3.07 4.06 5.05 IE /mA 0 0.01 1.10 2.00 3.10 4.10 5.10 2.1.3 三极管的特性曲线 1．输入特性曲线 uBE /v 0.2 uCE /v （a） （b） uCE≥ 1V uCE= 0 0.4 0.6 0.8 iB/μA 100 80 60 40 20 25℃ 饱和区 放 大 区 100μA 80μA 60μA 40μA 20μA iB=0μA 2 4 6 8 10 ic /mA 4 3 2 1 截止区 图2.3 三极管的特性 曲线