《电线嵌》电子教案 第2章晶体三极管 概述 21放大模式下晶体三极管的工作原理 22晶体三极管的其他工作模式 2.3埃伯尔斯莫尔模型 24晶体三极管伏安特性曲线 25晶体三极管小信号电路模型 26晶体三极管电路分析方法 27晶体三极管的应用原理
第 2 章 晶体三极管 概 述 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2 晶体三极管的其他工作模式 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2.4 晶体三极管伏安特性曲线 2.5 晶体三极管小信号电路模型 2.6 晶体三极管电路分析方法 2.7 晶体三极管的应用原理
第2章晶体三极管 概述 三极管结构及电路符号 发射极E NPN 集电极CE C 发射结3基极B集电结 B 发射极E 集电极CE oc b基极B B 制作:大连海事大学研究室
概 述 ➢ 三极管结构及电路符号 发射极 E 基极 B N P N + 集电极 C 发射极 E 基极 B P N P + 集电极 C B E C B E C 发射结 集电结 第 2 章 晶体三极管
第2章晶体三极管 三极管内部结构特点 1)发射区高掺杂(相对于基区) 2)基区很薄。3)集电结面积大。 三极管三种工作模式 放大模式:发射结正偏,集电结反偏。 饱和模式:发射结正偏,集电结正偏。 截止模式:发射结反偏,集电结反偏。 注意:三极管具有正向受控作用,除了满足内部结构特 点外,还必须满足放大模式的外部工作条件。 制作:大连海事大学研究室
➢ 三极管三种工作模式 •放大模式： 发射结正偏，集电结反偏。 •饱和模式： 发射结正偏，集电结正偏。 •截止模式： 发射结反偏，集电结反偏。 注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特 点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。 ➢ 三极管内部结构特点 1)发射区高掺杂（相对于基区）。 2)基区很薄。 3)集电结面积大。 第 2 章 晶体三极管
第2章晶体三极管 21放大模式下三极管工作原理 2.1.1内部载流子传输过程 N EEnEp I c=Icn+IcBd n E BO P BB R 1 R b=lED+IBB- ICBOIED+ En- Icn-IcBo- Ic 制作:大连海事大学研究室
2.1 放大模式下三极管工作原理 2.1.1 内部载流子传输过程 N+ P N - + - + V1 V2 R1 R2 IEn IEp IBB ICn ICBO IE IE= IEn+ IEp IC IC= ICn+ ICBO IB IB = IEp + IBB - ICBO = IEp+ (IEn- ICn) -ICBO = IE - IC 第 2 章 晶体三极管
第2章晶体三极管 口发射结正偏:保证发射区向基区发射多子 发射区掺杂浓度>>基区掺杂浓度:减少基区向发射 区发射的多子,提高发射效率。 口基区的作用:将发射到基区的多子,自发射结传输 到集电结边界。 基区很薄:可减少多子传输过程中在基区的复合机 会,保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 口集电结反偏且集电结面积大:保证扩散到集电结边界 的载流子全部漂移到集电区,形成受控的集电极电流。 制作:大连海事大学研究室
❑ 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 ▪ 发射区掺杂浓度>> 基区掺杂浓度：减少基区向发射 区发射的多子，提高发射效率。 ❑ 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输 到集电结边界。 ▪ 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机 会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 ❑ 集电结反偏且集电结面积大：保证扩散到集电结边界 的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。 第 2 章 晶体三极管