场另电第6章均匀平面波的反射与透射 6 媒质2中的透射波: E E,()=eEm2,H1(=) y2=jk2=j0V4262=j01262( 08 72 oa, 08 在分界面z=0上,电场强度和磁场强度切向分量连续,即 E +E=E E1(0)=E2(0) H1(0)=H2(0) (Em-Em=-E
电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射 6 媒质2中的透射波: 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 (1 ) j k j j j = c = c = − 1 2 2 2 2 1 2 2 2 2 2 2 2 2 (1 ) (1 ) − − = = − = − j j c c z c t m t y z t x t m E E z e E H z e 2 2 ( ) e , ( ) e 2 − − = = 在分界面z = 0 上,电场强度和磁场强度切向分量连续,即 t m c i m r m c i m r m t m E E E E E E 1 2 1 ( ) 1 − = + = (0) (0) (0) (0) 1 2 1 2 H H E E = =
重雕场易电雕做 第6章均匀平面波的反射与透射 反射系数厂:反射波电场的振幅与入射浪电场振幅之比; 透射系数τ:透射浪电场的振幅与入射浪电场振幅之比。 E +E=E 人、E n2c tn E 2 ■讨论: n2c tn 1+F= 厂和τ是复数,表明反射波和透射波的振幅和相位与入射浪 都不同。 若媒质理想导体,即G20,则=0,故有r=-1、r=0 e若两种媒质均为理想介质,即σ1=2=0,则得到 27 72+n 2+n
电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射 7 反射系数Γ:反射波电场的振幅与入射波电场振幅之比; 透射系数τ:透射波电场的振幅与入射波电场振幅之比。 2 1 2 2 1 2 1 2 , − = = + + t m c i m r m c i m r m t m E E E E E E 1 2 1 ( ) 1 − = + = 2 2 1 2 tm c im c c E E = = + 2 1 2 1 rm c c im c c E E − = = + 讨论: 1+ = 和 是复数,表明反射波和透射波的振幅和相位与入射波 都不同。 若媒质2理想导体,即2= ,则η2c = 0,故有 = −1、 = 0 若两种媒质均为理想介质,即1= 2= 0,则得到
场另电第6章均匀平面波的反射与透射 8 612对理想导体表面的垂直入射 媒质1 媒质2 媒质1为理想介质,01=0 E1,1 媒质2为理想导体 则A=O√AE,m 0 H 故=-1、r=0 在分界面上,反射 E.=-E 波电场与入射波电 Im 场的相位差为π 媒质1中的入射波:E、(=)=hmeB=,H()= e Eim-iB 71 媒质1中的反射波:E,(=)=-E 方(\Em。jB 71
电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射 8 Erm = −Eim 6.1.2 对理想导体表面的垂直入射 x 媒质1: 媒质2: 1 1 1 , , 2 = z z=0 y Ei Hi i k Er Hr r k 媒质1为理想介质,σ1=0 媒质2为理想导体,σ2=∞ 故 = −1、 = 0 媒质1中的入射波: 1 1 1 ( ) e , ( ) e j z j z im i x im i y E E z e E H z e − − = = 媒质1中的反射波: 1 1 1 ( ) e , ( ) e j z j z im r x im r y E E z e E H z e = − = 1 1 1 = , 1 1 1 , 则 = 2 = 0 在分界面上,反射 波电场与入射波电 场的相位差为π
重雕场易电雕做 第6章均勻平面波的反射与透射 媒质中合成浪的电磁场为 E()=eEm(e P=-e1p1=)=-eij2Em Sin B, 2 Eim COs Bz H()=e,im(e 1 +eB)=e,=im. 瞬时值式 (z,t)=Re[e(ze/o=e,2Eim sin B,sin at H1(=,)=Re[H1(=)em]=e 2Bim- cos B,z coS @t 合成波的平均能流密度矢量 Re[E1×H1]=Re 2Em coS B Eim sin B2×e,(-m
电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射 9 1 1 1 1 1 1 2 cos ( ) (e e ) ( ) (e e ) 2 sin 1 1 1 1 E z e E H z e E z e E e j E z i m y i m j z j z y x i m j z j z x i m = + = = − = − − − 媒质1中合成波的电磁场为 合成波的平均能流密度矢量 ) 0 2 cos Re 2 sin ( 2 1 Re[ ] 2 1 * 1 1 1 * 1 1 = = = − E z S E H e j E z e i m a v x i m y z t E H z t H z e E z t E z e E z t i m y j t x i m j t cos cos 2 ( , ) Re[ ( )e ] ( , ) Re[ ( )e ] 2 sin sin 1 1 1 1 1 1 1 = = = = 瞬时值形式
场另电第6章均匀平面波的反射与透射 10 ■合成波的特点 媒质1中的合成浪是驻波。 H 电场振幅的最大值为2Eim 最小值为0;磁场振幅的最 大值为2Em11,最小值也 为0。 4 专电场波节点(E(=)的最小值的位置 B1 1min (n=0,1,2,3,) 专电场波腹点(E(=)的最大值的位置) B2m=-(2n+1)/2-→ (2n+1) (n=0,1,2,3,)
电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射 10 合成波的特点 1 min z n = − 1 min 2 n z = − 1 max (2 1) 4 n z + = − (n = 0,1,2,3,…) (n = 0 ,1,2,3,…) 媒质1中的合成波是驻波。 电场振幅的最大值为2Eim, 最小值为0 ;磁场振幅的最 大值为2Eim /η1,最小值也 为0。 1 电场波节点( E ( )z 的最小值的位置): 电场波腹点( E1 ( )z 的最大值的位置) 1 min z n = − + (2 1) / 2