,=+x= N。+Na 因为V小，表明空间电荷区二边的正、负电荷量小，。 就小；N和N大，X和X就必然小，因而，就越小。此外， 温度升高时，由于V.减小，1，也就减小。I。一般为m数量 级。 ⊕⊕ ⊕⊕ ⊕⊕ ⊕ 突变结 缓变结 中 超突变结
2 1 2 + = + = a d a d o n p B N N N N V q l x x 因为VB小，表明空间电荷区二边的正、负电荷量小，l o 就小；Na和Nd大，xn和xp就必然小，因而，l o就越小。此外， 温度升高时，由于VB减小，l o也就减小。 l o一般为 μm 数量 级。 超突变结 缓变结 突变结
三、PN结的伏安特性： 1、PN结伏安特性： 是指通过P结的电流与加在其上电压之间的依存关系。 (1)、正向特性 P结外加正向电压（简称正偏），即外加直流电源正 极接P区，负极接N区。 内建电场E
三、PN结的伏安特性： 1、PN结伏安特性： （1）、正向特性 PN结外加正向电压（简称正偏），即外加直流电源正 极接P区，负极接N区。 是指通过PN结的电流与加在其上电压之间的依存关系。 V + P N 内建电场E
入7 内建电场E 在忽略引线电阻，P区、N区体电阻时，即外加电压将全 部加在PN结上，由于外加电压与内建电位差的极性相反，因 而阻挡层两端的电位差，由VB减小到(VB-V)。 结果：阻挡层宽度减小，即1<1。两侧的离子电量减少，扩 散运动增强，打破了扩散和漂移的动态平衡，此时ID>I7这 样P区中多子空穴将源源不断的通过阻挡层扩散到N区，成为N 区中的非平衡少子，建立如图所示的少子浓度分布图
在忽略引线电阻，P区、N区体电阻时，即外加电压将全 部加在 PN结上，由于外加电压与内建电位差的极性相反，因 而阻挡层两端的电位差，由VB减小到(VB -V)。 V + P N 内建电场E 结果： 阻挡层宽度减小，即 l < l o 两侧的离子电量减少，扩 散运动增强，打破了扩散和漂移的动态平衡，此时 ID > IT 这 样P区中多子空穴将源源不断的通过阻挡层扩散到N区， 成为N 区中的非平衡少子，建立如图所示的少子浓度分布图
阻挡层两端电位差、中性区少子浓度分布。 VB VB-V -no P(X) n(x) Pno
阻挡层两端电位差、中性区少子浓度分布。 x P N 0 V -xpo -xp xn xno lo l VB VB -V -xp xn x Pn (x) np (x) npo pno 0